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O::Si::O
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应该和CO2差不多吧？不过SiO2是原子晶体，结构和金刚石很像，每个Si连接4个O，不过书上画的好像是
:O:
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O::Si::O
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:O:
我也不清楚咯。。。。。。。惭愧惭愧。。。。。。。
查了一下：在大多数微电子工艺感兴趣的温度范围内，二氧化硅的结晶率低到可以被忽略。 尽管熔融石英不是长范围有序，但它却表现出短的有序结构，它的结构可认为是4个氧原子位于四面体的顶点上。多面体中心是一个硅原子。这样，每4个氧原子近似共价键合到硅原子，满足了硅的化合价外壳。如果每个氧原子是两个多面体的一部分，则氧的化合价也被满足，结果就成了称为石英的规则的晶体结构。在熔融石英中，某些氧原子，成为氧桥位，与两个硅原子键合。某些氧原子没有氧桥，只和一个硅原子键合。可以认为热生长二氧化硅主要是由人以方向的多面体网络组成的。与无氧桥位相比，有氧桥的部分越大，氧化层的粘合力就越大，而且受损伤的倾向也越小。干氧氧化层的有氧桥与无氧桥的比率远大于湿氧氧化层。因此，可以认为，SiO₂与其说是原子晶体，却更近似于离子晶体。氧原子与硅原子之间的价键向离子键过渡。
楼主自己画画看？
O::Si::O
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应该和CO2差不多吧？不过SiO2是原子晶体，结构和金刚石很像，每个Si连接4个O，不过书上画的好像是
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O::Si::O
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我也不清楚咯。。。。。。。惭愧惭愧。。。。。。。
查了一下：在大多数微电子工艺感兴趣的温度范围内，二氧化硅的结晶率低到可以被忽略。 尽管熔融石英不是长范围有序，但它却表现出短的有序结构，它的结构可认为是4个氧原子位于四面体的顶点上。多面体中心是一个硅原子。这样，每4个氧原子近似共价键合到硅原子，满足了硅的化合价外壳。如果每个氧原子是两个多面体的一部分，则氧的化合价也被满足，结果就成了称为石英的规则的晶体结构。在熔融石英中，某些氧原子，成为氧桥位，与两个硅原子键合。某些氧原子没有氧桥，只和一个硅原子键合。可以认为热生长二氧化硅主要是由人以方向的多面体网络组成的。与无氧桥位相比，有氧桥的部分越大，氧化层的粘合力就越大，而且受损伤的倾向也越小。干氧氧化层的有氧桥与无氧桥的比率远大于湿氧氧化层。因此，可以认为，SiO₂与其说是原子晶体，却更近似于离子晶体。氧原子与硅原子之间的价键向离子键过渡。
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参考资料： http://baike.baidu.com/view/27254.htm?fromenter=SiO2
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二氧化硅是原子晶体，没有表示分子的电子式吧……
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改行吧，甭学化学了，这种东西不会不自己看书，还好意思问
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