Question

五、画出MOS六管静态和动态存储单元的电路原理图，并简述信息写入、读出的工作过程。

Answer 1

写“1”： 

在I/O线上输入高电位， 在I/O线上输入高电位，

把高、低电位分别加在A，B点，

使T1管截止，T2管导通，

至此“1”写入存储元。

写“0”：

在I/O线上输入低电位，在I/O线上输入高电位，

把低、高电位分别加在A，B点，

使T1管导通，T2管截止，

至此“0”写入存储元。

Answer 2

1、六管NMOS静态存储单元
由六只NMOS管（T1～T6）组成。T1与T2构成一个反相器，T3与T4构成另一个反相器，两个反相器的输入与输出交叉连接，构成基本触发器，作为数据存储单元。
T1导通、T3截止为0状态，T3导通、T1截止为1状态。
T5、T6是门控管，由Xi线控制其导通或截止，他们用来控制触发器输出端与位线之间的连接状态。T7、T8也是门控管，其导通与截止受Yi线控制，他们是用来控制位线与数据线之间连接状态的，工作情况与T5、T6类似。但并不是每个存储单元都需要这两只管子，而是一列存储单元用两只（见图7.1－3）。所以，只有当存储单元所在的行、列对应的Xi、Yi线均为1时，该单元才与数据线接通，才能对它进行读或写，这种情况称为选中状态。

图7.1－6 六管NMOS静态存储单元