快恢复二极管工作在什么状态?
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快恢复二极管,也称为超快二极管,工作在导通和截止两种状态,类似于普通的二极管。然而,它们之所以称为"快恢复",是因为它们在从导通到截止状态(反向恢复)时的时间非常短。这使得它们能够更迅速地从导通到截止,减少反向恢复电流流过二极管的时间。
在导通状态时,快恢复二极管允许正向电流通过,就像普通二极管一样。但在关断状态时,快恢复二极管几乎不允许反向电流通过,因为它的反向恢复时间很短,反向电流无法流过。
快恢复二极管通常用于高频、高效率的电源和开关应用中,以减小反向恢复期间的能量损耗。它们能够快速切换,减少开关电路中的功率损耗。
在导通状态时,快恢复二极管允许正向电流通过,就像普通二极管一样。但在关断状态时,快恢复二极管几乎不允许反向电流通过,因为它的反向恢复时间很短,反向电流无法流过。
快恢复二极管通常用于高频、高效率的电源和开关应用中,以减小反向恢复期间的能量损耗。它们能够快速切换,减少开关电路中的功率损耗。
上海振丹
2024-10-30 广告
2024-10-30 广告
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肖特基二极管是属于低功耗、大电流、超高速的半导体器件,其特长是开关速度非常快,反向恢复时间可以小到几个纳秒,正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千安。所以适合在低电压、大电流的条件下工作,电脑主机电源的输出整流二极管就采用了肖特基二极管。
肖特基二极管是以N型半导体为基片,在上面形成用砷作掺染剂的N一外延层。阳性(阻挡层)金属材料是钼。二氧化硅用来消除边缘区域电场,提高肖特基二极管的耐压值。N型基片掺杂浓度比N一层高100倍,具有很小的通态电阻。基片下部的N+阴极层用以减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数,可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基二极管。
快恢复二极管是近年来问世的新型半导体器件,它具有开关特性好,反向恢复时间短、正向电流大、体积较小、安装简便等优点。可作高频、大电流的整流、续流二极管,在开关电源、脉宽调制器(PWM)、不间电源(UPS)、高频加热、交流电机变频调速等电子设备中得到了广泛的应用,是极有发展前途的电力、电子半导体器件。
快恢复二极管的一个重要参数是反向恢复时间trr,其定义是:电流流过零点由正向转换成反向,再由反向转换到规定的值Irr时的时间间隔,它是衡量高频续流、整流器件性能的重要技术参数。
快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降, 使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。
肖特基二极管是以N型半导体为基片,在上面形成用砷作掺染剂的N一外延层。阳性(阻挡层)金属材料是钼。二氧化硅用来消除边缘区域电场,提高肖特基二极管的耐压值。N型基片掺杂浓度比N一层高100倍,具有很小的通态电阻。基片下部的N+阴极层用以减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数,可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基二极管。
快恢复二极管是近年来问世的新型半导体器件,它具有开关特性好,反向恢复时间短、正向电流大、体积较小、安装简便等优点。可作高频、大电流的整流、续流二极管,在开关电源、脉宽调制器(PWM)、不间电源(UPS)、高频加热、交流电机变频调速等电子设备中得到了广泛的应用,是极有发展前途的电力、电子半导体器件。
快恢复二极管的一个重要参数是反向恢复时间trr,其定义是:电流流过零点由正向转换成反向,再由反向转换到规定的值Irr时的时间间隔,它是衡量高频续流、整流器件性能的重要技术参数。
快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降, 使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。
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