兴奋性突触后电位的形成机制【兴奋性突触后电位】
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1、 神经肌肉接头结构由(突触前膜), (突触后膜), (突触间隙)三部分组组成。
2、 神经递质贮存于:
A、 突触囊泡; B、突触小体; C、突触前膜; D、突触后膜。
3、 突触前抑制的结构基础是:
A、 轴突-轴突型突触; B、轴突-树突型突触; C、轴突-胞体型突触; D、胞体-胞体型突触。
4、 简述什么是EPSP和IPSP
EPSP 称兴奋性突触后电位
突触前轴突末梢的AP 内流 递质与突触后Na+(主) K+通透性↑K+外流 去极化(EPSP)
IPSP 抑制性突触后电位
突触前轴突末梢的 Ca2+突触囊泡中抑制性递质释放 递质与突触后膜受体结合突触后膜离子通道开放 主要) K+ Cl-内流、 K+超极化(IPSP)
突出前神经元突触末梢兴奋,释放到突触间隙中的是抑制性递质。此递质与突触后膜特异性受体结合,使离子通道开放,提高了膜对K+、Cl-,尤其是Cl-的通透性,使突触后膜的膜电位增大,突触后膜出现超极化。由于这种超极化电位使突触后神经元膜电位远离阈电位值,突触后神经元不易发生兴奋,表现为突触后神经元活动的抑制,因此将这种局部电位称为抑制性突触后电位(IPSP)。
或者:
EPSP 称兴奋性突触后电位
突触前膜兴奋并释放兴奋性化学递质,与突触后膜受体结合后,提高突触后膜对Na+ 、K+、Cl-,特别是对Na+的通透性,使膜电位极化状态减小膜局部除极化。由于此除极化能兴奋突触,突触后神经元容易发生兴奋,表现为突触后神经元活动的加强,因此称这种局部电位为兴奋性突触后电位(EPSP)。
IPSP 抑制性突触后电位
突出前神经元突触末梢兴奋,释放到突触间隙中的是抑制性递质。此递质与突触后膜特异性受体结合,使离子通道开放,提高了膜对K+、Cl-,尤其是Cl-的通透性,使突触后膜的膜电位增大,突触后膜出现超极化。由于这种超极化电位使突触后神经元膜电位远离阈电位值,突触后神经元不易发生兴奋,表现为突触后神经元活动的抑制,因此将这种局部电位称为抑制性突触后电位(IPSP)。
2、 神经递质贮存于:
A、 突触囊泡; B、突触小体; C、突触前膜; D、突触后膜。
3、 突触前抑制的结构基础是:
A、 轴突-轴突型突触; B、轴突-树突型突触; C、轴突-胞体型突触; D、胞体-胞体型突触。
4、 简述什么是EPSP和IPSP
EPSP 称兴奋性突触后电位
突触前轴突末梢的AP 内流 递质与突触后Na+(主) K+通透性↑K+外流 去极化(EPSP)
IPSP 抑制性突触后电位
突触前轴突末梢的 Ca2+突触囊泡中抑制性递质释放 递质与突触后膜受体结合突触后膜离子通道开放 主要) K+ Cl-内流、 K+超极化(IPSP)
突出前神经元突触末梢兴奋,释放到突触间隙中的是抑制性递质。此递质与突触后膜特异性受体结合,使离子通道开放,提高了膜对K+、Cl-,尤其是Cl-的通透性,使突触后膜的膜电位增大,突触后膜出现超极化。由于这种超极化电位使突触后神经元膜电位远离阈电位值,突触后神经元不易发生兴奋,表现为突触后神经元活动的抑制,因此将这种局部电位称为抑制性突触后电位(IPSP)。
或者:
EPSP 称兴奋性突触后电位
突触前膜兴奋并释放兴奋性化学递质,与突触后膜受体结合后,提高突触后膜对Na+ 、K+、Cl-,特别是对Na+的通透性,使膜电位极化状态减小膜局部除极化。由于此除极化能兴奋突触,突触后神经元容易发生兴奋,表现为突触后神经元活动的加强,因此称这种局部电位为兴奋性突触后电位(EPSP)。
IPSP 抑制性突触后电位
突出前神经元突触末梢兴奋,释放到突触间隙中的是抑制性递质。此递质与突触后膜特异性受体结合,使离子通道开放,提高了膜对K+、Cl-,尤其是Cl-的通透性,使突触后膜的膜电位增大,突触后膜出现超极化。由于这种超极化电位使突触后神经元膜电位远离阈电位值,突触后神经元不易发生兴奋,表现为突触后神经元活动的抑制,因此将这种局部电位称为抑制性突触后电位(IPSP)。
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