高分求解!放大电路的问题!好的加分!!
在电路中Ucc=15V。Rb=300kΩ。Rc=3kΩ。Rl=6kΩ。晶体管的β=50求放大电路的输入电阻输出电阻。我知道Ri=rbe。rbe=300+(1+β)26/I...
在电路中 Ucc=15V。Rb=300kΩ。Rc=3kΩ。Rl=6kΩ。晶体管的β=50
求 放大电路的输入电阻 输出电阻。
我知道 Ri=rbe。rbe=300+(1+β)26/IEQ。
问题1 这26是什么意思?
问题2 我求出IEQ等于0.0025A。那个rbe出来的数值很奇怪啊 和书里完全不一样!怎么解释
求详解! 展开
求 放大电路的输入电阻 输出电阻。
我知道 Ri=rbe。rbe=300+(1+β)26/IEQ。
问题1 这26是什么意思?
问题2 我求出IEQ等于0.0025A。那个rbe出来的数值很奇怪啊 和书里完全不一样!怎么解释
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赛恩科仪
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严格的公式为:rbe=rbb'+(1+β)×VT/Ie。
1、VT=kt/q。即波尔兹曼常数除以库仑电荷常量,这是半导体材料理论上的事。在室温(300K)时,VT的值大约是26mV。
2、rbb'是基区电阻,过去由于工艺问题,生产过很多锗低频管,这种管子的rbb'=300Ω。而现在的硅管的rbb'一般只有几十欧姆,而且特征频率越高,rbb'也越小,80Ω,50Ω,30Ω的都有。随着工艺水平的提高,rbb'会越来越小,最终被忽略不计。另外,以上公式仅适用于Ie小于5mA的情况。
1、VT=kt/q。即波尔兹曼常数除以库仑电荷常量,这是半导体材料理论上的事。在室温(300K)时,VT的值大约是26mV。
2、rbb'是基区电阻,过去由于工艺问题,生产过很多锗低频管,这种管子的rbb'=300Ω。而现在的硅管的rbb'一般只有几十欧姆,而且特征频率越高,rbb'也越小,80Ω,50Ω,30Ω的都有。随着工艺水平的提高,rbb'会越来越小,最终被忽略不计。另外,以上公式仅适用于Ie小于5mA的情况。
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