用质量为m、电阻为R的均匀导线做成边长为l的单匝正方形线框MNPQ,
如图所示,用质量为m、电阻为R的均匀导线做成边长为l的单匝正方形线框MNPQ,线框每一边的电阻都相等。将线框置于光滑绝缘的水平面上。在线框的右侧存在竖直方向的有界匀强磁场...
如图所示,用质量为m、电阻为R的均匀导线做成边长为l的单匝正方形线框MNPQ,线框每一边的电阻都相等。将线框置于光滑绝缘的水平面上。在线框的右侧存在竖直方向的有界匀强磁场,磁场边界间的距离为2l,磁感应强度为B。在垂直MN边的水平拉力作用下,线框以垂直磁场边界的速度v匀速穿过磁场。在运动过程中线框平面水平,且MN边与磁场的边界平行。求
(2)线框MN边刚进入磁场时,M、N两点间的电压UMN;
就想问下为什么UMN=3/4E 展开
(2)线框MN边刚进入磁场时,M、N两点间的电压UMN;
就想问下为什么UMN=3/4E 展开
1个回答
GamryRaman
2023-06-12 广告
2023-06-12 广告
不一定。看管子的,看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质,UGS一定是负值且,UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作,后两种可以说UDS一定大于UGS,但第一种情况下未必......
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本回答由GamryRaman提供
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