Question

12N60C可以代换2N60吗?

现有一个金河田牌开关电源，型号为：ATX-355WB&P4.其中的场效应管2N60烧坏，现手里有12N60C，请问两者可代换吗？

Answer 1

12N60C可以替代2N60的。

2N60是功率场效应管参数是：硅、500V、2A、55W、RDS(on) ≤ 5.1 Ω、带阻尼；12N60C也是功率场效应管，参数：硅、600V、12A、51W、RDS(on)=0.65Ω、带阻尼。所以12N60C是可以代换2N60的。

场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是既有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件，

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。

扩展资料：

与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。

1、场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）。

2、场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。

3、它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好。

4、它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数。

5、场效应管的抗辐射能力强。

6、由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

参考资料来源：百度百科--场效应管

参考资料来源：百度百科--功率MOS场效应晶体管

参考资料来源：百度百科--功率场效应晶体管

Answer 2

　　可以，2N60是功率场效应管，参数是：硅、 500V、 2A、 55W 、 RDS(on) ≤ 5.1 Ω 、带阻尼；12N60C也是功率场效应管，参数：硅、 600V 、12A 、51W 、RDS(on)=0.65Ω 、带阻尼。12N60C是可以代换2N60的。
　　功率场效应晶体管（VF）又称VMOS场效应管。在实际应用中，它有着比晶体管和MOS场效应管更好的特性。即是在大功率范围应用的场效应晶体管，它也称作功率MOSFET，其优点表现在以下几个方面：
　　1. 具有较高的开关速度。
　　2. 具有较宽的安全工作区而不会产生热点，并且具有正的电阻温度系数，因此适合进行并联使用。
　　3. 具有较高的可靠性。
　　4. 具有较强的过载能力。短时过载能力通常额定值的4倍。
　　5. 具有较高的开启电压，即是阈值电压，可达2~6V(一般在1.5V~5V之间）。当环境噪声较高时，可以选 用阈值电压较高的管子，以提高抗干扰能力；反之，当噪声较低时，选用阈值电压较低的管子，以降低所需的输入驱动信号电压。给电路设计带来了极大地方便。
　　6. 由于它是电压控制器件，具有很高的输入阻抗，因此其驱动功率很小，对驱动电路要求较低。
　　由于这些明显的优点，功率场效应晶体管在电机调速，开关电源等各种领域应用的非常广泛。
　　

Answer 3

2N60是功率场效应管，参数是：硅、 500V、 2A、 55W 、 RDS(on) ≤ 5.1 Ω 、带阻尼；
12N60C也是功率场效应管，参数：硅、 600V 、12A 、51W 、RDS(on)=0.65Ω 、带阻尼。

由以上参数看，12N60C是可以代换2N60的。