nmos和pmos晶体管的阈值电压分别是多少？估计值
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nMOS：Vth=0.7V
，pMOS：Vth=-0.8V。
MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。
在实际应用中往往规定漏电流达到某一值(
如50μA)时的栅源电压为阈值电压。从使用角度讲，希望阈值电压Vm小一些好。阈值电压是决定MOSFET能否导通的临界栅源电压，因此，它是MOSFET的非常重要参数。
扩展资料：
对于理想的增强型MOSFET（即系统中不含有任何电荷状态，在栅电压Vgs
=
0时，半导体表面的能带为平带状态）。
阈值电压可给出为VT
=
(
SiO2层上的电压Vi
)
+
2ψb
=
－[2εεo
q
Na
(
2ψb
)]
/
Ci
+
2ψb
,式中Vi
≈
(耗尽层电荷Qb)
/
Ci，Qb
=－(
2εεo
q
Na
[
2ψb
]
)，Ci是单位面积的SiO2电容，ψb是半导体的Fermi势（等于本征Fermi能级Ei与Ef之差）。
参考资料：百度百科-晶体管阈值电压
，pMOS：Vth=-0.8V。
MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。
在实际应用中往往规定漏电流达到某一值(
如50μA)时的栅源电压为阈值电压。从使用角度讲，希望阈值电压Vm小一些好。阈值电压是决定MOSFET能否导通的临界栅源电压，因此，它是MOSFET的非常重要参数。
扩展资料：
对于理想的增强型MOSFET（即系统中不含有任何电荷状态，在栅电压Vgs
=
0时，半导体表面的能带为平带状态）。
阈值电压可给出为VT
=
(
SiO2层上的电压Vi
)
+
2ψb
=
－[2εεo
q
Na
(
2ψb
)]
/
Ci
+
2ψb
,式中Vi
≈
(耗尽层电荷Qb)
/
Ci，Qb
=－(
2εεo
q
Na
[
2ψb
]
)，Ci是单位面积的SiO2电容，ψb是半导体的Fermi势（等于本征Fermi能级Ei与Ef之差）。
参考资料：百度百科-晶体管阈值电压
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创远信科
2024-07-24 广告
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