内存DDR3低电压和一般正常的DDR3内存有什么区别,它是否可以通用
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内存DDR3低电压和一般正常的DDR3内存区别为:功耗不同、延迟时间不同、颗粒规格不同。一般正常的DDR3内存对内存DDR3低电压的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变,搭配内存DDR3低电压的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用,这对厂商降低成本大有好处。
一、功耗不同
1、内存DDR3低电压:内存DDR3低电压其核心工作电压从1.8V降至1.5V,其功耗得到降低。
2、一般正常的DDR3内存:一般正常的DDR3内存为了达到高带宽的要求,导致其功耗较高。
二、延迟时间不同
1、内存DDR3低电压:内存DDR3低电压由于能耗降低,可实现更高的工作频率,在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点。
2、一般正常的DDR3内存:一般正常的DDR3内存由于能耗较高,存在延迟时间较长的缺点。
三、颗粒规格不同
1、内存DDR3低电压:内存DDR3低电压的颗粒规格多为32M X 32bit,单颗颗粒容量较大,4颗即可构成128MB显存。
2、一般正常的DDR3内存:一般正常的DDR3内存的颗粒规格多为16M X 32bit,搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。
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