Question

TTL与CMOS电路的区别是什么？

由TTL和CMOS个组成的相似门电路，（如与非门，输入端皆由一条高电平和一条51欧电阻接地，输出结果有何不同？为什么？）

Answer 1

ttl是由晶体管构成的逻辑电路，这里所谓的ttl信号是一个电平标准。由于器件的电压不同，ttl电路和cmos电路定义的高低电平电压以及电流不一样。
所谓的需要加ttl信号就是可以以ttl标准的高或低电平信号来触发它。

Answer 2

用于高速，选TTL，功耗大，工作电压+5V；
用于低速低功耗，选CMOS，工作电压3~15V范围广。
另外，需要“扩展”能力大时（数字电路称“扇出系数”），用CMOS。
如果需要综合性能好，如速度较高、功耗低、工作电压适应范围广、电平转换、扇出系数大时，
用HCMOS----高速CMOS电路器件。

Answer 3

功耗
TTL门电路的空载功耗与CMOS门的静态功耗相比，是较大的，约为数十毫瓦（mw）而后者仅约为几十纳(10-9)瓦；在输出电位发生跳变时（由低到高或由高到低）,TTL和CMOS门电路都会产生数值较大的尖峰电流，引起较大的动态功耗。
速度
通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响 TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值。电阻数值越大，工作速度越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称为“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指标，其值越小，表明器件的性能越 好（一般约为几十皮（10-12）焦耳）。与TTL门电路的情况不同，影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部，即负载电容CL。CL是主要影响器件工作速度的原因。由CL所决定的影响CMOS门的传输延时约为几十纳秒。
谢谢