msp430 程序存储器 单片机 数据存储器
最近在学msp430单片机,介绍说它的程序存储器和数据存储器采用统一编址的冯诺依曼结构,我想知道一段程序,比如:WDTCTL=WDTPW+WDTHOLD;//Stopwa...
最近在学msp430单片机,介绍说它的程序存储器和数据存储器采用统一编址的冯诺依曼结构,
我想知道一段程序,
比如:
WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; // Stop watchdog timer
P3DIR |= BIT4; // Set P3.4 to output direction
int a,b;
a= 50000;
哪些被存入了数据存储区,哪些又被存入了程序存储区呢?
谢谢!
另外,我记得数据存储区RAM的数据是掉电丢失的,
但是MSP430的存储介质又是FLASH型的,可反复擦写保存,
那么到底是怎么个情况呢?
有点逻辑混乱,求解答,谢谢啦! 展开
我想知道一段程序,
比如:
WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; // Stop watchdog timer
P3DIR |= BIT4; // Set P3.4 to output direction
int a,b;
a= 50000;
哪些被存入了数据存储区,哪些又被存入了程序存储区呢?
谢谢!
另外,我记得数据存储区RAM的数据是掉电丢失的,
但是MSP430的存储介质又是FLASH型的,可反复擦写保存,
那么到底是怎么个情况呢?
有点逻辑混乱,求解答,谢谢啦! 展开
1个回答
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很简单啊
应该说是 指令存储器 和 数据存储器
BIT4 50000 WDTPW WDTHOLD 这些常数肯定存在 数据存储器 中
至于指令存储器 存一些命令 比如 WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; 这一句 翻译成汇编肯定有个MOV指令 来给WDTCTL这个寄存器赋值,所以 MOV指令肯定存在 指令存储器
一般来说,翻译成汇编才看的比较清楚。
RAM的数据是掉电丢失的,这是没有疑问,但是RAM可以基本上无限次数的读写
MSP430的存储介质又是FLASH型的,可反复擦写保存,但是FLASH读写次数有限,大概1W到100W次,具体次数需要你查下手册才能确定。
所以RAM是存变量的,而FLASH是存数据的,不能定义变量,不能频繁读写,不然FLASH会被写坏的。
应该说是 指令存储器 和 数据存储器
BIT4 50000 WDTPW WDTHOLD 这些常数肯定存在 数据存储器 中
至于指令存储器 存一些命令 比如 WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; 这一句 翻译成汇编肯定有个MOV指令 来给WDTCTL这个寄存器赋值,所以 MOV指令肯定存在 指令存储器
一般来说,翻译成汇编才看的比较清楚。
RAM的数据是掉电丢失的,这是没有疑问,但是RAM可以基本上无限次数的读写
MSP430的存储介质又是FLASH型的,可反复擦写保存,但是FLASH读写次数有限,大概1W到100W次,具体次数需要你查下手册才能确定。
所以RAM是存变量的,而FLASH是存数据的,不能定义变量,不能频繁读写,不然FLASH会被写坏的。
追问
谢谢指教,
比如:int a,b;
a= 50000;
这两句,a这个变量是不是应该存在RAM中?
上电后初始值为0?
执行到a=50000时,才会在ram中修改为50000?
而且a=50000这句应该也有move指令吧,那这一句指令也有存在程序存储器喽?
追答
显然! 每一条汇编都有指令 但可能没有操作数
C就是编译成汇编之后,然后再翻译成机器语言,下载到单片机里面运行的
意法半导体(中国)投资有限公司
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