Question

求英汉翻译，电子专业内容。

After powering this coil at 800VDC for extended periods of time, I experienced an IGBT failure (note that this was the first failure in over a year). The IGBT that failed also had its TVS string come disconnected (though the TVS's were not damaged). So I began to investigate what was going on here, and found a significant oversight in my original design. The problem, as expected, had to do with voltage transients. I turns out that the inductance between my large electrolytic capacitors, and the bridge, along with the decoupling film caps located on the bridge, had a resonant frequency of around 40khz! My rail voltage was ringing up to 160% of the input voltage, so at 800VDC input, this would have presented 1280V across the 1200V IGBT devices... yikes! Here is a picture of the output from one of the half-bridges in this condition:

The only way to fix this condition is to minimize the inductance between the IGBTs and the main filter capacitors. Simply putting small film caps on the IGBTs *does not cut it*! So I came up with this solution:

Answer 1

这在800vdc线圈通电后很长一段时间，我经历了一次技术故障（注意，这是超过一年来第一次失败）。失败的，也有其电视字符串来断开（虽然电视是没有损坏）。所以我开始调查到底是怎么回事，并发现了一个重大的监督在我原来的设计。问题，如预期，做过电压瞬变过程。原来，电感之间的大型铝电解电容器，和桥，随着解耦膜盖位于桥，有大约40 KHz谐振频率！我的轨道电压振铃高达160%的输入电压，所以在800vdc输入，这将提出1280v跨越性开关装置…呀！这里是一个图片的一个输出半桥在这种情况：唯一的解决办法，这一条件是尽量减少之间的电感和滤波电容器上的主。简单地把小膜盖上的IGBT *不削减它*！所以我想出了这个办法：

Answer 2

当给线圈加上800V直流电一段时间后，我见识了绝缘栅双极晶体管（IGBT）故障（须知这是我一年中第一次碰到故障）。故障的IGBT使得瞬变抑制二极管（TVS）断路（然而TVS却并没有损坏）。于是，我开始调查这到底是怎么一回事，我在最初的设计里发现了一个重大的疏忽。问题如我所料，和瞬态电压有关。我拿掉大的电解电容和桥堆之间的电感而保留桥堆上的薄膜电容，居然产生了一个40KHz的振荡！主干电压上升到输入电压的160%，因此如果输入800V直流电压，将会出现1280V电压，这超过了1200V的IGBT设备电压...哎呀！这里有一张此种情况下其中一个半桥的输出图片。
改变这种状况的唯一方法是尽量减小IGBT和主滤波电容间的电感。简单地在靠IGBT加小薄膜电容而非拿掉它！我就把它搞定了。

Answer 3

After powering this coil at 800VDC for extended periods of time, I experienced an IGBT failure
对延长期内的线圈通800伏直流电后，我遭遇了一次绝缘栅双极型晶体管故障
(note that this was the first failure in over a year). The IGBT that failed also had its TVS string
（注意这是全年中的首次故障）。那个失效的绝缘栅双极型晶体管也具有它自己的瞬态抑制二极
come disconnected (though the TVS's were not damaged). So I began to investigate what was
管串连接在一起（尽管瞬态抑制二极管未损坏）。因此我开始调查这将会发生什么
going on here, and found a significant oversight in my original design. The problem, as
并且在我的最初设计中发现一个重大疏忽。如料想那样，
expected, had to do with voltage transients. I turns out that the inductance between my large
这个问题不得不遭遇瞬时电压。我去掉了大电容
electrolytic capacitors, and the bridge, along with the decoupling film caps located on the
与桥电路及其退耦遮膜之间的自感应，
bridge, had a resonant frequency of around 40khz! My rail voltage was ringing up to 160% of
产生了一个大约40千赫的共振频率！我的导轨电压采集到的电压为输入电压的160%，
the input voltage, so at 800VDC input, this would have presented 1280V across the 1200V
因此，在输入直流电压为800伏时，将会有1280伏电压出现1200伏的绝缘栅双极型晶体管
IGBT devices... yikes! Here is a picture of the output from one of the half-bridges in this condition:
上。。。呀！这是一张此状态下其中一个半桥电路中的输出图片：
The only way to fix this condition is to minimize the inductance between the IGBTs and the
修复此状态的唯一方法是减小绝缘栅双极型晶体管与主滤波器电容之间的自感应。
main filter capacitors. Simply putting small film caps on the IGBTs *does not cut it*! So I came up with this solution:
仅仅在绝缘栅双极型晶体管上覆盖小的遮膜不能解决！因此我想出了这个解决方案：

Answer 4

该线圈在加上800VDC很长一段时间后IGBT坏了（注：这是一年中的第一次故障）。
损坏了的IGBT线路上的 TVS同时也断开了（但TVS并没有被损坏）。因此我开始查找原因并发现了我原设计中的一个重大疏忽。我料想问题会在瞬态电压上，结果是我的大电解电容和电桥之间的电感以及电桥上的去耦薄膜电容一起产生了频率为40千赫左右的谐振！电源纹波电压达输入电压的160%，所以当输入电压为800VDC时就会有1280V电压出现在1200V的 IGBT器件两端。呀！这便是此状态下在一个半桥处的输出图形：
唯一的解决办法是尽量减小IGBT和主滤波电容之间的电感。仅在IGBT上加小薄膜电容是不解决问题的！因此我想出了这个办法：

注：（1）IGBT：Insulate-Gate Bipolar Transistor 绝缘栅双极晶体管
（2）TVS： Transient Voltage Suppression 瞬时电压抑制器 或 瞬态抑制电压二极管
（3）原文中"I turns out that...." 很可能是"It turns out that...."。
(4) 通过此翻译我学习了DRSSTC设计，很有趣。

Answer 5

这在800vdc线圈通电后很长一段时间，我经历了一次技术故障（注意，这是第一次失败的一年）。失败的，也有其电视字符串来断开（虽然电视是没有损坏）。所以我开始调查到底是怎么回事，并发现了一个重大的监督在我原来的设计。问题，如预期，做过电压瞬变过程。原来，电感之间的大型铝电解电容器，和桥，随着解耦膜盖位于桥，有大约40 KHz谐振频率！我的轨道电压振铃高达160%的输入电压，所以在800vdc输入，这将提出1280v跨越性开关装置…呀！这里是一个图片的一个输出半桥在这种情况：

唯一的解决办法，这一条件是尽量减少之间的电感和滤波电容器上的主。简单地把小膜盖上的IGBT *不削减它*！所以我想出了这个办法：