大神们帮忙做一下下面的题目(解题过程发至 A54A321@163.com ) 200
用光束传输法模拟两根平行光纤中光功率随传输距离变化的关系,并求出两光纤中光功率相等时的最短传输距离。已知两根光纤相同,纤芯直径为8um,两根光纤的中心距离为12um,纤芯...
用光束传输法模拟两根平行光纤中光功率随传输距离变化的关系,并求出两光纤中光功率相等时的最短传输距离。已知两根光纤相同,纤芯直径为8um,两根光纤的中心距离为12um,纤芯折射率为1.4457,包层折射率为1.4378,波长为1.55um,在起始点处,一根光纤的光功率为0,一根光纤的光功率为1.
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收稿日期:!""! # $" # $%&
基金项目:广东省自然科学基金资助项目(’%"!(’,’%")*+,
""$!*’),
光通信
多模光纤出射光束光强分布的研究
齐晓玲,王福娟,蔡志岗,江绍基
(中山大学光电材料与技术国家重点实验室,广东广州!"#$%!)
摘要: 采用横向偏移法测量以-./ 为激励源的多模光纤纤芯截面光强分布和出射光束的
传输特性,将光强分布从近距光强分布和远距光强分布两方面进行讨论,比较分析了理论曲线与实
验曲线,指出-./ 作为光源的多模光纤光强分布非常有利于光耦合,并可通过测量多模光纤光强
分布得到光纤数值孔径的大小。
关键词: 光耦合;光强分布;数值孔径
中图分类号: 01!2) 文献标识码: 3 文章编号: $""$ # 2%+%(!""))"! # "$$( # "*
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@), M1.6*: 9UK7T8; T9AU;7<=;9UK7T8; 7<KL<J7KI N7JKP7SAK79<;<AMLP7T8; 8ULPKAPL
$ 引言
随着光纤通信技术的发展和密集波分复用
(/>/W)系统的应用,全光交换成为新一代全光网
的核心技术。光耦合包括光纤之间、光纤与光源之
间、光纤与探测器之间的耦合,是构成全光交换的重
要技术[$]。研究光纤出射光束的光强分布对有效光
耦合,即耦合对准时间短、耦合损耗小,起关键性作
用。
横向偏移法[!]是一种用于探测光纤出射光束光
强分布的方法。目前,广泛使用的远场法[)]
( 0P8<JM7KKLN @8P:O7L;N )和发射近场测量法[*]
(0P8<JM7KKLN 1L8P:O7L;N)都是基于横向偏移法的工作
原理。前者是用于测量光纤数值孔径的大小,后者
是最直接,最简单测量模场直径的方法。
本文以提供有效光耦合的理论依据为目的,以
-./ 作为激励源,采用横向偏移法研究多模光纤芯
截面的光强分布和出射光束的传输特性。首先进行
了理论分析,并采用此方法测量了多模光纤出射光
束的光强分布,最后对实验结果进行了详细的分析,
并从近距(探测光纤与被探测光纤间的距离在2"
!M 内)和远距(探测光纤与被探测光纤间的距离在
$)"!M 以外)对多模光纤出射光束的光强分布进行
讨论。
! 理论
多模光纤中存在模式耦合和模式转换,使各模
式所携带的能量比例随光纤长度而变,直到达平衡
长度为止。只有达到平衡长度后光纤端面才有稳定
的功率分布,从而有稳定的耦合损耗[2]。
$B" 稳态功率分布与激励条件
$$( 万方数据
激励条件主要是指耦合到光纤中的入射光束的
数值孔径和光斑大小。有效的耦合要求入射光束的
数值孔径和光斑直径与光纤的数值孔径和芯径相匹
配,即等于或大于光纤的数值孔径和芯径,从而使光
纤中的所有模式充分激励,易于实现稳态功率分布。
!"# 的谱线宽,可以激励光纤中的所有传输模式,使
光纤易于达到稳态功率分布。
实现稳态功率分布的装置主要是扰模器,其作
用是将初期的辐射模式或某些不稳定的模式经过模
式耦合转变成稳定的导行模,或者由辐射而消失,最
后形成模式的稳态分布[$]。
!"! 多模光纤芯截面的光强分布
假设采用芯径相同的阶跃多模光纤分别作为探
测光纤和被探测光纤,认为光纤端面有稳定的功率
分布,且输入、输出光纤芯子上的光功率都是均匀分
布的。两相同的多模阶跃光纤,轴线横向位移为!,
使两耦合光纤的端面错开,如图% 所示。
图% 横向偏移! 的两耦合光纤截面图
耦合损耗由两光纤端面的不重合引起。所以光
纤耦合效率! 将由输入光纤面积"&
和输出光纤的
有效接收面积"’ (图% 中阴影部分)决定[(]:
"& # !$)
"’ # ) $)*+,,-. !
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[ ! ( )$ ) ] ) (%)
! # "’
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*+,,-. !
)$ % !
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!"# 多模光纤远距的光强分布
在稳态功率分布条件下测量光纤的远距强度分
布,比较接近高斯分布(见后面实验测量曲线图()。
/ 实验
实验中,我们采用横向偏移法来探测多模光纤
出射光束的光强分布,即使用两根光纤对接耦合,测
量其耦合效率(或称功率传输函数)与光纤横向偏移
量的关系,并从测量曲线上确定光强功率分布。
实验采用参数相同的两根多模光纤分别作为探
测光纤与被探测光纤对接耦合,测量其耦合效率。
选用多模光纤作为探测光纤,这是由于其相对于单
模光纤具有好的信噪比且数值孔径大[0],因此,能将
尽可能多的光耦合到光纤中,使得光功率计读取的
数据能更真实的反映光纤出射光束的实际光强分
布。实验所用多模光纤为渐变型多模光纤,数值孔
径为12)3( 4 121%(,芯径为$)2("5。
首先,用光纤拨线钳分别把两光纤6%,6) 一侧
端面的光纤套管和缓冲涂覆层拨去,用酒精将裸光
纤表面擦干净,后用光纤切割刀切端面,并用)11 倍
的光学显微镜观察,可得到清洁、平整、垂直光纤轴
的光纤端面。然后把6% 和6) 光纤分别绕过扰模器
’,将6% 的裸端面一侧固定在三维调节架&%(精度
为%1"5),另一端通过光纤活动连接头与光源相
联。为了便于得到稳态功率分布,我们采用!"# 光
源,其波长为% ((1 75;将6) 的裸端面固定在二维
调节架&)(一维精度是%1"5,另一维可调角度,精
度为%8),另一端接光功率计9,如图)。
图) 实验测试装置图
假定光纤轴向为& 轴,零点为6% 裸端面处,’
轴为通过光纤芯径的一个方向。!"# 发出的光入射
到6%,调节6),使光纤6% 和6) 在轴向上对准,光束
从6% 裸端面出射耦合到6) 中,最后进入9。在不
同& 点,沿’ 方向移动6% 端面,读取一系列数据,为
了排除光功率计读数的不稳定性,我们取每个测量
点多个读数的平均,最后通过记录的光功率数据所
作的曲线可确定光纤芯截面的光强分布和光束的传
输特性。
0 讨论
我们把!"# 光源激发的多模光纤出射光束的
光强分布分为近距和远距的光强分布来分析。
$"% 近距光强分布
图/(*):(;)分别为探测光纤端面与被探测光
纤端面距离,即& 分别为1,%1,/1,(1"5 所对应的
关系曲线,其中横坐标表示沿’ 方向的横向偏移与
%%< 万方数据
纤芯半径的比值! " #,纵坐标表示耦合效率!。由
图! 可以得出:
(")随着探测光纤端面与被探测光纤端面之间
的距离增大,光纤最大耦合效率总的趋势减小,但是
$ 在#$!% 以内减少的非常缓慢,耦合效率有微小
的起伏,但仍在实验误差范围以内(见表"),因此,
光耦合效率受两光纤端面距离影响较小,插入损耗
标准一定时,可以主要考虑其它引起损耗的因素,而
对两光纤距离的要求可以适当降低。
表! 不同! 处的最大耦合效率
$ &!% $ "$ !$ #$
! $’($" )! $’*+, *- $’** $’*-
插入损耗& ./ $’$)# $’$#( $’$#- $’$--
(,)大部分能量集中在多模光纤的纤芯直径
-,’#!% 内,也就是图中所画黑色方框(宽-,’ #!%,
长$’(!%)内。这是由于光功率主要集中在被探测
光纤芯径中传输,所以探测到的光功率主要集中在
-,’#!% 的范围内。
(!)光耦合效率在芯径范围内存在一个平顶现
象。实验中为了得到稳定功率分布,我们采用了
012 光源,从而尽可能的激发起多模光纤可存在的
所有模式,光纤出射光束的光强分布是各阶模式叠
加的结果,可以认为光功率在纤芯截面上是均匀分
布的。因此,在纤芯截面上耦合效率出现平顶现象。
为了进行对比,我们还采用了02 作为激励源进行
了相同的实验,实验结果如图) 所示。02 光源只能
激发出多模光纤中的低阶模式,光功率主要集中在
纤芯轴附近,其出射光强分布近似于高斯分布,而不
存在平顶。由此可以得出:在城域网或局域网中用
多模光纤传输信息时,使用012 光源非常有利于光
纤间的耦合。
())图!(3)中虚线是根据公式(")画出的理论
曲线。可以看出,实验曲线和理论曲线有相当大的
差别。一方面,实验曲线出现平顶现象,理论曲线没
有。另一方面,理论曲线比实验曲线的耦合效率减
少的快。这是因为虽然我们在实验中为了尽量满足
理论推导的假设条件———光纤芯截面光强均匀分
布,采用了012 光源和扰模器,但实验中被探测多
模光纤的光强不仅分布在纤芯中,还进入到了光纤
包层中。此外,采用多模光纤探测不能简单地认为
是以点探测,而是以探测光纤端面来探测,功率计读
(3) $ 4 $!%
(5) $ 4 $!%
(6) $ 4 $!%
(.) $ 4 #$!%
图! 横向偏移量和耦合效率的关系
图) 02 作为激励源的光强分布
""( 万方数据
取的数据实际上是探测光纤端面接受到数值孔径范
围内被探测光纤的纤芯和包层出射光束的总功率。
因此,实验曲线出现了平顶现象。导致实验曲线中
耦合效率较之理论曲线减少的慢也是基于上述原
因。理论公式中没有考虑光纤包层可能传输的光功
率对耦合的影响。可见,采用简单的几何光学分析
多模光纤光强分布是不够的。
!"# 远距光强分布
图!(")#($)分别为探测光纤端面与被探测光
纤端面距离! 分别为%&’,&’’,% ’’’,( ’’’!) 所对
应的关系曲线,其中横坐标表示沿" 方向的横向偏
移,纵坐标表示耦合功率#。由图! 可以得出:(%)
图中各点代表实验点,曲线是高斯拟合曲线。可以
看出实验曲线和高斯曲线拟合的非常好,已在图中
标出。说明多模光纤出射光束的远距光强分布呈高
斯分布。(*)从各图横坐标的范围可以看出,随着探
测光纤端面与被探测光纤端面距离增大,可测得的横
向偏移越大,说明出射光束是不断发散的,见图+。
(") ! , %&’!)
(-) ! , &’’!)
(.) ! , % ’’’!)
($) ! , ( ’’’!)
图! 距离被探测光纤端面不同点的光强分布
图+ 归一化光强#/
分布
(&)根据图! 求出探测光纤端面与被探测光纤
端面不同距离的功率半高宽,并作图(见图()。可
以通过光纤出射光束远距%&’ # &’’!) 的光强分布
求出光纤的数值孔径为’0 *+,这与已知的数值孔径
’0*(! 1 ’0’%! 比较吻合。
图( 距被探测光纤不同距离的功率半高宽
由以上分析可知,近距分布就是指探测光纤端
面与被探测光纤端面距离约在!’!) 以内的光强分
布。其分布在芯径+*0!!) 内约!’!) 左右呈均匀
分布,且耦合效率减少缓慢,便于进行光耦合。远距
分布指探测光纤端面与被探测光纤端面距离约在
%&’!) 以外的光强分布,呈高斯分布,根据其光强
分布的实验曲线可求出光纤的数值孔径。
(下转第%&’ 页)
%*’ 万方数据
! 结论
各向异性刻蚀是"#"$ 工艺中非常重要的一
环。%"&’ 由于具有刻蚀速度快、刻蚀的晶向依赖
性好、毒性低、易控制,以及与(")$ 工艺兼容等优
点而成为"#"$ 湿法刻蚀工艺中常用的刻蚀剂。为
了解决%"&’ 在刻蚀硅的过程中刻蚀表面易形成小
丘的问题,通过采用在底质量百分比的%"&’ 溶液
中添加硅酸和过硫酸铵的方法,得到了较高的刻蚀
速度和光滑的刻蚀表面。从实验中也可以发现,要
获得理想的刻蚀效果,刻蚀液配方和刻蚀流程的选
择是非常重要的因素。
致谢:实验中得到了中国电子科技集团公司第
** 研究所的大力支持与合作,在此致以真诚的谢
意。
参考文献:
[+] 徐文祥,许镇鹏, 微机电制程中的牺牲层技术之发展
现状[#-. /0], 1223:. . 444, 5522367, 879, 24. 3:;<3=+>?,
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"C867HGH82679@81@IC8@G $D52H95,+BBM,!(*):>;+ N >;?,
[;] %@O@2H ),&5@1C P,EFI@O@51C ’,H2 @G, &IC572673C8 H281CI=
7J 5CGC87I CI %"&’ 57GF2C7I5[L], $HI5765 @IQ &82F@2765 &,
+BB>,;*:!+ N !?,
[*] $@667 R ",-6CQ@ /,SGC52 T S /,H2 @G, #JJH82 7J 5F6J@82@I2
7I 5F6J@8H UF@GC2D 7J 5CGC87I 9C867526F82F6H5 H281HQ CI
5@2F6@2HQ %"&’T 57GF2C7I5 [&], #VP)$#W$)P$ XYYY,%1H
+;21 #F673H@I (7IJH6HI8H 7I $7GCQZ$2@2H %6@I5QF8H65[(],
WH21H6G@IQ5,$H32H9OH6 +> N +!,+BBB,;[B N ;B>,
[! ] $FGGC\@I R, )JJ76Q - T, &]GFJC " #, %H26@Z9H21DG
@997ICF9 1DQ67KCQH( %"&’) 36HJH6HI2C@G H281CI= J76
CIJ6@6HQ 3CKHG @66@D5[ &], %H81IC8@G /78F9HI2 ;<B?,
L@IF@6D,><<<,
作者简介:
罗元(+B?> N ),+BB; 年毕业于浙江大学,+BBM
年在重庆邮电学院获工学硕士学位,现为重庆大学
光电工程学院博士生,研究方向为光纤通信及
"#"$ 光通信器件,已在国内外刊物和国际学术会
议上发表论文近+< 篇。
!"#$%&:
!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
9HGF7DF@I^>M;, IH2
(上接第+>< 页)
! 结论
我们采用横向偏移法测量了多模光纤出射光束
的光强分布,并从近距光强分布和远距光强分布两
部分进行了分析。0#/ 可以激发出多模光纤的所有
模式,光功率在纤芯截面上呈均匀分布,随着探测光
纤与被探测光纤端面的距离增大,光纤出射光束在
空气中传输超过+;<!9,其光强分布呈高斯分布。
从实验中了解0#/ 作为激励的多模光纤近距光强
分布,可知光耦合中存在微小横向偏移和间隙时对
耦合效率影响不大,有利于缩短耦合对准时间,并得
到理想的耦合效率;由远距光强分布图可求出多模
光纤的数值孔径。
参考文献:
[+] RH2H6 _ & , "C867 Z 732C8@G JCOH6 54C281 J76 @ G@6=H
IF9OH6 7J CI2H687IIH825 F5CI= @ QHJ769@OGH 9C667[6 L], Y###
R1727I, %H81I7G, 0H22, ,><<>,+*(;):;<+ N ;<;,
[>] "@68F5H /, R6CI8C3GH5 7J 732C8@G JCOH6 9H@5F6H9HI25["],
WH4 _76]:&8@QH9C8 R6H55,+B[+,
[; ] R1CGC3Z81@IQD R, &I 732C8@G JCOH6 5HI576 J76 OC7JCG9
9H@5F6H9HI2 F5CI= CI2HI5C2D 97QFG@2C7I @IQ C9@=H @I@GD5C5
[L], Y### L, $HGH82HQ %73C85 CI ‘F@I2F9 #GH8267IC85,
><<<,M(!):?M* N ??>,
[*] aC5CI W , R@55D P , RH6ID - , )32C8@G JCOH6
81@6@82H6Cb@2C7I OD 5C9FG2@IH7F5 9H@5F6H9HI2 7J 21H
26@I59C22HQ @IQ 6HJ6@82HQ IH@6 JCHGQ[ L ], L, 0C=124@\H
%H81I7G, ,+BB;,(+):[?! N [[;,
[!] %5F81CD@ ’ , W@]@=79H ’ , /7FOGH H88HI26C8
87IIH82765 J76 732C8@G JCOH65 [L], &33G, )32, ,+B??,+M(!):
+ ;>; N + ;;+,
[M] 彭吉虎,吴伯瑜, 光纤技术及应用["], 北京:北京理
工大学出版社,+BB!, !B N M>,
作者简介:
齐晓玲(+B?> N ),女,山西太原人,+BBM 年毕业
于南京邮电学院无线电工程系,><<< 年开始攻读硕
士学位,主要从事信息光子学的研究。
!"#$%&:UKGOHGG^5CI@, 879
+;< 万方数据
多模光纤出射光束光强分布的研究
作者: 齐晓玲, 王福娟, 蔡志岗, 江绍基
作者单位: 中山大学,光电材料与技术国家重点实验室,广东,广州,510275
刊名:
半导体光电
英文刊名: SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
年,卷(期): 2003,24(2)
引用次数: 12次
参考文献(6条)
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6.彭吉虎.吴伯瑜光纤技术及应用 1995
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光纤端面修饰的各种方法,理论研究了SMF+GIF光纤对模场半径的改变,并与实验结果进行了比较,为更好的得到不同光元器件的耦合进行了有意义的尝试.
2.期刊论文程湘.王宇华.段发阶.叶声华.CHENG Xiang.WANG Yu-hua.DUAN Fa-jie.YE Sheng-hua 光纤间光的耦合
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本文认为比尔公式存在一个应用范围,即入射光强I0较小时此公式才适用。本文从激光介质中能量传输和能级跃迁速率方程出发,在一定的近似条件下
,给出了抽运光强度变化的解析解。结果表明,在一定传输距离范围内,随着抽运光能量密度的增大,增益介质对抽运光的吸收规律逐渐由指数函数变
为近似线性函数。把这个理论应用于具体激光晶体,给出了泵浦光在激光晶体中随传输距离指数变化、线性变化范围以及介于这两者之间的泵浦光的变
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程,结合此数学处理方法用Matlab编制了一整套程序,包括模拟光线在耦合器件中的传输过程程序、光束通过耦合器件后光强在垂直光传输方向上光强
分布程序及光耦合效率程序。其中对于透镜导管的模拟结果得到了与前人不同的结论,即光束经过透镜导管后随着离透镜导管出口越来越远光斑分裂。
而这之前一直认为透镜导管出口后的光强是准高斯分布。本论
基金项目:广东省自然科学基金资助项目(’%"!(’,’%")*+,
""$!*’),
光通信
多模光纤出射光束光强分布的研究
齐晓玲,王福娟,蔡志岗,江绍基
(中山大学光电材料与技术国家重点实验室,广东广州!"#$%!)
摘要: 采用横向偏移法测量以-./ 为激励源的多模光纤纤芯截面光强分布和出射光束的
传输特性,将光强分布从近距光强分布和远距光强分布两方面进行讨论,比较分析了理论曲线与实
验曲线,指出-./ 作为光源的多模光纤光强分布非常有利于光耦合,并可通过测量多模光纤光强
分布得到光纤数值孔径的大小。
关键词: 光耦合;光强分布;数值孔径
中图分类号: 01!2) 文献标识码: 3 文章编号: $""$ # 2%+%(!""))"! # "$$( # "*
&’()’*+(, -+*(.+/0(+1’ 12 3.4’*5+(()6 7)45 12 809(+516) :;(+<49 =+/).
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8<N LVULP7ML<K8; N8K8& 5K 7J 7<N7T8KLN KE8K KEL 7<KL<J7KI N7JKP7SAK79< 9O MA;K7M9NL 9UK7T8; O7SLP U9RLPLN SI -./
7J O7K O9P 9UK7T8; T9AU;7<= 8<N T8< SL AJLN K9 T8;TA;8KL <AMLP7T8; 8ULPKAPL(13)9O MA;K7M9NL 9UK7T8; O7SLP&
@), M1.6*: 9UK7T8; T9AU;7<=;9UK7T8; 7<KL<J7KI N7JKP7SAK79<;<AMLP7T8; 8ULPKAPL
$ 引言
随着光纤通信技术的发展和密集波分复用
(/>/W)系统的应用,全光交换成为新一代全光网
的核心技术。光耦合包括光纤之间、光纤与光源之
间、光纤与探测器之间的耦合,是构成全光交换的重
要技术[$]。研究光纤出射光束的光强分布对有效光
耦合,即耦合对准时间短、耦合损耗小,起关键性作
用。
横向偏移法[!]是一种用于探测光纤出射光束光
强分布的方法。目前,广泛使用的远场法[)]
( 0P8<JM7KKLN @8P:O7L;N )和发射近场测量法[*]
(0P8<JM7KKLN 1L8P:O7L;N)都是基于横向偏移法的工作
原理。前者是用于测量光纤数值孔径的大小,后者
是最直接,最简单测量模场直径的方法。
本文以提供有效光耦合的理论依据为目的,以
-./ 作为激励源,采用横向偏移法研究多模光纤芯
截面的光强分布和出射光束的传输特性。首先进行
了理论分析,并采用此方法测量了多模光纤出射光
束的光强分布,最后对实验结果进行了详细的分析,
并从近距(探测光纤与被探测光纤间的距离在2"
!M 内)和远距(探测光纤与被探测光纤间的距离在
$)"!M 以外)对多模光纤出射光束的光强分布进行
讨论。
! 理论
多模光纤中存在模式耦合和模式转换,使各模
式所携带的能量比例随光纤长度而变,直到达平衡
长度为止。只有达到平衡长度后光纤端面才有稳定
的功率分布,从而有稳定的耦合损耗[2]。
$B" 稳态功率分布与激励条件
$$( 万方数据
激励条件主要是指耦合到光纤中的入射光束的
数值孔径和光斑大小。有效的耦合要求入射光束的
数值孔径和光斑直径与光纤的数值孔径和芯径相匹
配,即等于或大于光纤的数值孔径和芯径,从而使光
纤中的所有模式充分激励,易于实现稳态功率分布。
!"# 的谱线宽,可以激励光纤中的所有传输模式,使
光纤易于达到稳态功率分布。
实现稳态功率分布的装置主要是扰模器,其作
用是将初期的辐射模式或某些不稳定的模式经过模
式耦合转变成稳定的导行模,或者由辐射而消失,最
后形成模式的稳态分布[$]。
!"! 多模光纤芯截面的光强分布
假设采用芯径相同的阶跃多模光纤分别作为探
测光纤和被探测光纤,认为光纤端面有稳定的功率
分布,且输入、输出光纤芯子上的光功率都是均匀分
布的。两相同的多模阶跃光纤,轴线横向位移为!,
使两耦合光纤的端面错开,如图% 所示。
图% 横向偏移! 的两耦合光纤截面图
耦合损耗由两光纤端面的不重合引起。所以光
纤耦合效率! 将由输入光纤面积"&
和输出光纤的
有效接收面积"’ (图% 中阴影部分)决定[(]:
"& # !$)
"’ # ) $)*+,,-. !
)$ % !$
) % % !
[ ! ( )$ ) ] ) (%)
! # "’
"&
# )!
*+,,-. !
)$ % !
)$ % % !
) ( ) [ ! $ ] )
!"# 多模光纤远距的光强分布
在稳态功率分布条件下测量光纤的远距强度分
布,比较接近高斯分布(见后面实验测量曲线图()。
/ 实验
实验中,我们采用横向偏移法来探测多模光纤
出射光束的光强分布,即使用两根光纤对接耦合,测
量其耦合效率(或称功率传输函数)与光纤横向偏移
量的关系,并从测量曲线上确定光强功率分布。
实验采用参数相同的两根多模光纤分别作为探
测光纤与被探测光纤对接耦合,测量其耦合效率。
选用多模光纤作为探测光纤,这是由于其相对于单
模光纤具有好的信噪比且数值孔径大[0],因此,能将
尽可能多的光耦合到光纤中,使得光功率计读取的
数据能更真实的反映光纤出射光束的实际光强分
布。实验所用多模光纤为渐变型多模光纤,数值孔
径为12)3( 4 121%(,芯径为$)2("5。
首先,用光纤拨线钳分别把两光纤6%,6) 一侧
端面的光纤套管和缓冲涂覆层拨去,用酒精将裸光
纤表面擦干净,后用光纤切割刀切端面,并用)11 倍
的光学显微镜观察,可得到清洁、平整、垂直光纤轴
的光纤端面。然后把6% 和6) 光纤分别绕过扰模器
’,将6% 的裸端面一侧固定在三维调节架&%(精度
为%1"5),另一端通过光纤活动连接头与光源相
联。为了便于得到稳态功率分布,我们采用!"# 光
源,其波长为% ((1 75;将6) 的裸端面固定在二维
调节架&)(一维精度是%1"5,另一维可调角度,精
度为%8),另一端接光功率计9,如图)。
图) 实验测试装置图
假定光纤轴向为& 轴,零点为6% 裸端面处,’
轴为通过光纤芯径的一个方向。!"# 发出的光入射
到6%,调节6),使光纤6% 和6) 在轴向上对准,光束
从6% 裸端面出射耦合到6) 中,最后进入9。在不
同& 点,沿’ 方向移动6% 端面,读取一系列数据,为
了排除光功率计读数的不稳定性,我们取每个测量
点多个读数的平均,最后通过记录的光功率数据所
作的曲线可确定光纤芯截面的光强分布和光束的传
输特性。
0 讨论
我们把!"# 光源激发的多模光纤出射光束的
光强分布分为近距和远距的光强分布来分析。
$"% 近距光强分布
图/(*):(;)分别为探测光纤端面与被探测光
纤端面距离,即& 分别为1,%1,/1,(1"5 所对应的
关系曲线,其中横坐标表示沿’ 方向的横向偏移与
%%< 万方数据
纤芯半径的比值! " #,纵坐标表示耦合效率!。由
图! 可以得出:
(")随着探测光纤端面与被探测光纤端面之间
的距离增大,光纤最大耦合效率总的趋势减小,但是
$ 在#$!% 以内减少的非常缓慢,耦合效率有微小
的起伏,但仍在实验误差范围以内(见表"),因此,
光耦合效率受两光纤端面距离影响较小,插入损耗
标准一定时,可以主要考虑其它引起损耗的因素,而
对两光纤距离的要求可以适当降低。
表! 不同! 处的最大耦合效率
$ &!% $ "$ !$ #$
! $’($" )! $’*+, *- $’** $’*-
插入损耗& ./ $’$)# $’$#( $’$#- $’$--
(,)大部分能量集中在多模光纤的纤芯直径
-,’#!% 内,也就是图中所画黑色方框(宽-,’ #!%,
长$’(!%)内。这是由于光功率主要集中在被探测
光纤芯径中传输,所以探测到的光功率主要集中在
-,’#!% 的范围内。
(!)光耦合效率在芯径范围内存在一个平顶现
象。实验中为了得到稳定功率分布,我们采用了
012 光源,从而尽可能的激发起多模光纤可存在的
所有模式,光纤出射光束的光强分布是各阶模式叠
加的结果,可以认为光功率在纤芯截面上是均匀分
布的。因此,在纤芯截面上耦合效率出现平顶现象。
为了进行对比,我们还采用了02 作为激励源进行
了相同的实验,实验结果如图) 所示。02 光源只能
激发出多模光纤中的低阶模式,光功率主要集中在
纤芯轴附近,其出射光强分布近似于高斯分布,而不
存在平顶。由此可以得出:在城域网或局域网中用
多模光纤传输信息时,使用012 光源非常有利于光
纤间的耦合。
())图!(3)中虚线是根据公式(")画出的理论
曲线。可以看出,实验曲线和理论曲线有相当大的
差别。一方面,实验曲线出现平顶现象,理论曲线没
有。另一方面,理论曲线比实验曲线的耦合效率减
少的快。这是因为虽然我们在实验中为了尽量满足
理论推导的假设条件———光纤芯截面光强均匀分
布,采用了012 光源和扰模器,但实验中被探测多
模光纤的光强不仅分布在纤芯中,还进入到了光纤
包层中。此外,采用多模光纤探测不能简单地认为
是以点探测,而是以探测光纤端面来探测,功率计读
(3) $ 4 $!%
(5) $ 4 $!%
(6) $ 4 $!%
(.) $ 4 #$!%
图! 横向偏移量和耦合效率的关系
图) 02 作为激励源的光强分布
""( 万方数据
取的数据实际上是探测光纤端面接受到数值孔径范
围内被探测光纤的纤芯和包层出射光束的总功率。
因此,实验曲线出现了平顶现象。导致实验曲线中
耦合效率较之理论曲线减少的慢也是基于上述原
因。理论公式中没有考虑光纤包层可能传输的光功
率对耦合的影响。可见,采用简单的几何光学分析
多模光纤光强分布是不够的。
!"# 远距光强分布
图!(")#($)分别为探测光纤端面与被探测光
纤端面距离! 分别为%&’,&’’,% ’’’,( ’’’!) 所对
应的关系曲线,其中横坐标表示沿" 方向的横向偏
移,纵坐标表示耦合功率#。由图! 可以得出:(%)
图中各点代表实验点,曲线是高斯拟合曲线。可以
看出实验曲线和高斯曲线拟合的非常好,已在图中
标出。说明多模光纤出射光束的远距光强分布呈高
斯分布。(*)从各图横坐标的范围可以看出,随着探
测光纤端面与被探测光纤端面距离增大,可测得的横
向偏移越大,说明出射光束是不断发散的,见图+。
(") ! , %&’!)
(-) ! , &’’!)
(.) ! , % ’’’!)
($) ! , ( ’’’!)
图! 距离被探测光纤端面不同点的光强分布
图+ 归一化光强#/
分布
(&)根据图! 求出探测光纤端面与被探测光纤
端面不同距离的功率半高宽,并作图(见图()。可
以通过光纤出射光束远距%&’ # &’’!) 的光强分布
求出光纤的数值孔径为’0 *+,这与已知的数值孔径
’0*(! 1 ’0’%! 比较吻合。
图( 距被探测光纤不同距离的功率半高宽
由以上分析可知,近距分布就是指探测光纤端
面与被探测光纤端面距离约在!’!) 以内的光强分
布。其分布在芯径+*0!!) 内约!’!) 左右呈均匀
分布,且耦合效率减少缓慢,便于进行光耦合。远距
分布指探测光纤端面与被探测光纤端面距离约在
%&’!) 以外的光强分布,呈高斯分布,根据其光强
分布的实验曲线可求出光纤的数值孔径。
(下转第%&’ 页)
%*’ 万方数据
! 结论
各向异性刻蚀是"#"$ 工艺中非常重要的一
环。%"&’ 由于具有刻蚀速度快、刻蚀的晶向依赖
性好、毒性低、易控制,以及与(")$ 工艺兼容等优
点而成为"#"$ 湿法刻蚀工艺中常用的刻蚀剂。为
了解决%"&’ 在刻蚀硅的过程中刻蚀表面易形成小
丘的问题,通过采用在底质量百分比的%"&’ 溶液
中添加硅酸和过硫酸铵的方法,得到了较高的刻蚀
速度和光滑的刻蚀表面。从实验中也可以发现,要
获得理想的刻蚀效果,刻蚀液配方和刻蚀流程的选
择是非常重要的因素。
致谢:实验中得到了中国电子科技集团公司第
** 研究所的大力支持与合作,在此致以真诚的谢
意。
参考文献:
[+] 徐文祥,许镇鹏, 微机电制程中的牺牲层技术之发展
现状[#-. /0], 1223:. . 444, 5522367, 879, 24. 3:;<3=+>?,
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5@2F6@2HQ %"&’T 57GF2C7I5 [&], #VP)$#W$)P$ XYYY,%1H
+;21 #F673H@I (7IJH6HI8H 7I $7GCQZ$2@2H %6@I5QF8H65[(],
WH21H6G@IQ5,$H32H9OH6 +> N +!,+BBB,;[B N ;B>,
[! ] $FGGC\@I R, )JJ76Q - T, &]GFJC " #, %H26@Z9H21DG
@997ICF9 1DQ67KCQH( %"&’) 36HJH6HI2C@G H281CI= J76
CIJ6@6HQ 3CKHG @66@D5[ &], %H81IC8@G /78F9HI2 ;<B?,
L@IF@6D,><<<,
作者简介:
罗元(+B?> N ),+BB; 年毕业于浙江大学,+BBM
年在重庆邮电学院获工学硕士学位,现为重庆大学
光电工程学院博士生,研究方向为光纤通信及
"#"$ 光通信器件,已在国内外刊物和国际学术会
议上发表论文近+< 篇。
!"#$%&:
!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
9HGF7DF@I^>M;, IH2
(上接第+>< 页)
! 结论
我们采用横向偏移法测量了多模光纤出射光束
的光强分布,并从近距光强分布和远距光强分布两
部分进行了分析。0#/ 可以激发出多模光纤的所有
模式,光功率在纤芯截面上呈均匀分布,随着探测光
纤与被探测光纤端面的距离增大,光纤出射光束在
空气中传输超过+;<!9,其光强分布呈高斯分布。
从实验中了解0#/ 作为激励的多模光纤近距光强
分布,可知光耦合中存在微小横向偏移和间隙时对
耦合效率影响不大,有利于缩短耦合对准时间,并得
到理想的耦合效率;由远距光强分布图可求出多模
光纤的数值孔径。
参考文献:
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IF9OH6 7J CI2H687IIH825 F5CI= @ QHJ769@OGH 9C667[6 L], Y###
R1727I, %H81I7G, 0H22, ,><<>,+*(;):;<+ N ;<;,
[>] "@68F5H /, R6CI8C3GH5 7J 732C8@G JCOH6 9H@5F6H9HI25["],
WH4 _76]:&8@QH9C8 R6H55,+B[+,
[; ] R1CGC3Z81@IQD R, &I 732C8@G JCOH6 5HI576 J76 OC7JCG9
9H@5F6H9HI2 F5CI= CI2HI5C2D 97QFG@2C7I @IQ C9@=H @I@GD5C5
[L], Y### L, $HGH82HQ %73C85 CI ‘F@I2F9 #GH8267IC85,
><<<,M(!):?M* N ??>,
[*] aC5CI W , R@55D P , RH6ID - , )32C8@G JCOH6
81@6@82H6Cb@2C7I OD 5C9FG2@IH7F5 9H@5F6H9HI2 7J 21H
26@I59C22HQ @IQ 6HJ6@82HQ IH@6 JCHGQ[ L ], L, 0C=124@\H
%H81I7G, ,+BB;,(+):[?! N [[;,
[!] %5F81CD@ ’ , W@]@=79H ’ , /7FOGH H88HI26C8
87IIH82765 J76 732C8@G JCOH65 [L], &33G, )32, ,+B??,+M(!):
+ ;>; N + ;;+,
[M] 彭吉虎,吴伯瑜, 光纤技术及应用["], 北京:北京理
工大学出版社,+BB!, !B N M>,
作者简介:
齐晓玲(+B?> N ),女,山西太原人,+BBM 年毕业
于南京邮电学院无线电工程系,><<< 年开始攻读硕
士学位,主要从事信息光子学的研究。
!"#$%&:UKGOHGG^5CI@, 879
+;< 万方数据
多模光纤出射光束光强分布的研究
作者: 齐晓玲, 王福娟, 蔡志岗, 江绍基
作者单位: 中山大学,光电材料与技术国家重点实验室,广东,广州,510275
刊名:
半导体光电
英文刊名: SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
年,卷(期): 2003,24(2)
引用次数: 12次
参考文献(6条)
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