质量为m，电荷量为q的带电粒子一速率V垂直射入磁感强度为B的匀强磁场
质量为m，电荷量为q的带电粒子一速率V垂直射入磁感强度为B的匀强磁场中，在磁场力作用下做匀速圆周运动，带电粒子在圆形轨道上运动相当于一环行电流，则（）A.环行电流跟q成正...
质量为m，电荷量为q的带电粒子一速率V垂直射入磁感强度为B的匀强磁场中，在磁场力作用下做匀速圆周运动，带电粒子在圆形轨道上运动相当于一环行电流，则（ ）
A.环行电流跟q成正比 B.环行电流跟V成正比
C.环行电流跟B成正比 D.环行电流跟m成反比
为什么选C、D。求解释～ 展开
A.环行电流跟q成正比 B.环行电流跟V成正比
C.环行电流跟B成正比 D.环行电流跟m成反比
为什么选C、D。求解释～ 展开
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带电粒子做圆周运动的周期T=2πm/qB，频率f=qB/2πm,即电荷每秒转动f次而形成电流。
该电子转一圈 ：I=q/T=q*qB/2πm=q^2B/2πm. 正比与B，反比于m
不过。。。答案跟q没关系么？？
该电子转一圈 ：I=q/T=q*qB/2πm=q^2B/2πm. 正比与B，反比于m
不过。。。答案跟q没关系么？？
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GamryRaman
2023-06-12 广告
不一定。看管子的，看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质，UGS一定是负值且，UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作，后两种可以说UDS一定大于UGS，但第一种情况下未必......
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