Question

关于三极管电流流向问题

假设：发射区有7个自由电子向右运动，形成发射极电流IE（电子的定向移动形成电流），其方向与自由电子（带负电荷）运动方向相反；而基区有3个空穴在向左移动，形成基极电流IB，其方向与空穴（带正电荷）方向相同；剩余4个自由电子继续向右运动形成集电极电流IC，其方向与自由电子（带负电荷）运动方向相反。
我想问：为什么不是发射区到达基区的自由电子不直接与基区的空穴复合，而生继续移动到集电区？

Answer 1

呵呵，这个问题主要有两个原因：
1. 发射区是重掺杂，其掺杂浓度远远高于基区的掺杂浓度，所以发射结正偏时，发射区向基区注入的电子数量是巨大的
2. （非常关键的一点）基区的宽度足够小 ，远远小于非平衡少子（电子）在基区的扩散长度。（而这恰恰是我们希望的，通常在制作双极型晶体管的时候，就是要把基区的宽度做小）。基区宽度小，意味着到达基区的非平衡少子 需要 渡越的距离就越短，就更容易到达集电区的边缘。（可以理解为，还没来得及复合，就到达集电区边缘了）

如果把基区宽度做得很宽很宽，远远大于非平衡少子（电子）在基区的扩散长度， 那这就造成 发射区注入基区的电子全部在基区被复合掉，无法到达集电结的边缘，这些电子全部成为基极电流的贡献了。 而集电结是反偏，只有很小很小的PN结反向饱和电流。 事实上，这也就不是双极型晶体管了， 顶多就算是 两个背靠背反向串联的PN结， 起不到电流放大的作用。

希望我的回答对你有帮助，全是一字一字敲上去的，呵呵，望采纳

Answer 2

因为基区非常薄，掺杂浓度低（也就是说多数载流子很少），集电极大量电子涌入，只有极少一部分才能复合掉。 上面两位的回答都很专业，希望我的回答你能看懂。

Answer 3

因为基区的掺杂浓度很小，载流子数目也非常少。基极电流的作用，是减少基—集之间的PN结在基区一侧的载流子，使基-集阻挡电场变弱，以便从发射极进入的自由电子可以穿过基-集结进入集电极。
电子并非不想在基区与空穴复合，只是因为基区的空穴太少了无法复合那么多的自由电子而已。你举的例子有个问题，也就是HFE值只有4/3倍的三极管是没有实用价值的，某个瞬间射极进入7个自由电子的话，可能同时在基区连1个空穴都找不到。它们只好在基-集电场的作用下反向穿过PN结进入集电区。

Answer 4

dian ya