若霍尔元件片的几何尺寸为4*6mm 即控制电流两端距离为6mm,问此霍尔片能否测量截面积为5*5mm气隙的磁场 20
霍尔元件的工作原理:所谓霍尔效应,是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时,产生横向电位差的物理现象。
当电流通过金属箔片时,若在垂直于电流的方向施加磁场,则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显,而铁磁金属在居里温度以下将呈现极强的霍尔效应。
由于通电导线周围存在磁场,其大小与导线中的电流成正比,故可以利用霍尔元件测量出磁场,就可确定导线电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。其优点是不与被测电路发生电接触,不影响被测电路,不消耗被测电源的功率,特别适合于大电流传感。
扩展资料:
霍尔元件可用多种半导体材料制作,如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多层半导体异质结构量子阱材料等等。
常用的半导体材料N型硅、N型锗、锑化铟、砷化铟和不同比例亚砷酸铟和磷酸铟组成的In型固溶体等。
其中N型锗容易加工,其霍尔常数、温度性能、输出线性都较好,应用非常普遍锑化铟元件由于在高温时霍尔常数大,所以输出较大,但对温度最敏感,尤其在低温范围内温度系数大;砷化铟的霍尔常数较小,温度系数也较小,输出线性好;砷化镓的温度特性和输出线性好,是较理想的材料,但价格较贵。
参考资料来源:百度百科-霍尔元件
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