CMOS集成电路与TTL集成电路相比较,有什么特点?
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这是两种不同类型的电路,它们原料、工艺、应用领域都不同。
TTL集成电路TTL(Transistor Transistor 1Logic) ——晶体管逻辑集成电路,是六十年代开始开发的产品,主要应用于:门电路、译码器/驱动器、触发器、计数器、移位寄存器、单稳、双稳电路和多谐振荡器、加法器、乘法器、奇偶校验器、码制转换器、线驱动器/线接收器、多路开关、存储器;
而CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)——互补金属氧化物半导体,严格来讲,它是制造电子设备的一种材料和工艺。主要应用于:可擦写存储芯片保存信息、感光元件用于数字影像成像、集成电路设计与制造领域。
这两种线路相同的应用领域是都可以作为存储器使用。
TTL集成电路TTL(Transistor Transistor 1Logic) ——晶体管逻辑集成电路,是六十年代开始开发的产品,主要应用于:门电路、译码器/驱动器、触发器、计数器、移位寄存器、单稳、双稳电路和多谐振荡器、加法器、乘法器、奇偶校验器、码制转换器、线驱动器/线接收器、多路开关、存储器;
而CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)——互补金属氧化物半导体,严格来讲,它是制造电子设备的一种材料和工艺。主要应用于:可擦写存储芯片保存信息、感光元件用于数字影像成像、集成电路设计与制造领域。
这两种线路相同的应用领域是都可以作为存储器使用。
欧亿光电
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一楼回答得很小,但有些东西过时了,比如CMOS电路比TTL电路速度慢这一点,现在已经没有这个劣势了。
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TTL集成电路使用TTL管,也就是PN结。功耗较大,驱动能力强,一般工作电压+5V
CMOS集成电路使用MOS管,功耗小,工作电压范围很大,一般速度也低,但是技术在改进,这已经不是问题。
就TTL与CMOS电平来讲,前者属于双极型数字集成电路,其输入端与输出端均为三极管,因此它的阀值电压是<0.2V为输出低电平;>3.4V为输出高电平。
而CMOS电平就不同了,他的阀值电压比TTL电平大很多。而串口的传输电压都是以COMS电压传输的。
1,TTL电平:
输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平
是0.2V。最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是
0.4V。
2,CMOS电平:
1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。
3,电平转换电路:
因为TTL和COMS的高低电平的值不一样(ttl 5v<==>cmos 3.3v),所以互相连接时需
要电平的转换:就是用两个电阻对电平分压,没有什么高深的东西。哈哈
4,OC门,即集电极开路门电路,OD门,即漏极开路门电路,必须外界上拉电阻和电源才能
将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载,所以又叫做驱
动门电路。
5,TTL和COMS电路比较:
1)TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。
2)TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。
COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常
现象。
3)COMS电路的锁定效应:
COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大
。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易
烧毁芯片。
防御措施:
1)在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过不超过规定电压。
2)芯片的电源输入端加去耦电路,防止VDD端出现瞬间的高压。
3)在VDD和外电源之间加线流电阻,即使有大的电流也不让它进去。
4)当系统由几个电源分别供电时,开关要按下列顺序:开启时,先开启COMS电路得电
源,再开启输入信号和负载的电源;关闭时,先关闭输入信号和负载的电源,再关闭COMS参考资料:http://zhidao.baidu.com/question/2162501.html?fr=qrl3
CMOS集成电路使用MOS管,功耗小,工作电压范围很大,一般速度也低,但是技术在改进,这已经不是问题。
就TTL与CMOS电平来讲,前者属于双极型数字集成电路,其输入端与输出端均为三极管,因此它的阀值电压是<0.2V为输出低电平;>3.4V为输出高电平。
而CMOS电平就不同了,他的阀值电压比TTL电平大很多。而串口的传输电压都是以COMS电压传输的。
1,TTL电平:
输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平
是0.2V。最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是
0.4V。
2,CMOS电平:
1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。
3,电平转换电路:
因为TTL和COMS的高低电平的值不一样(ttl 5v<==>cmos 3.3v),所以互相连接时需
要电平的转换:就是用两个电阻对电平分压,没有什么高深的东西。哈哈
4,OC门,即集电极开路门电路,OD门,即漏极开路门电路,必须外界上拉电阻和电源才能
将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载,所以又叫做驱
动门电路。
5,TTL和COMS电路比较:
1)TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。
2)TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。
COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常
现象。
3)COMS电路的锁定效应:
COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大
。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易
烧毁芯片。
防御措施:
1)在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过不超过规定电压。
2)芯片的电源输入端加去耦电路,防止VDD端出现瞬间的高压。
3)在VDD和外电源之间加线流电阻,即使有大的电流也不让它进去。
4)当系统由几个电源分别供电时,开关要按下列顺序:开启时,先开启COMS电路得电
源,再开启输入信号和负载的电源;关闭时,先关闭输入信号和负载的电源,再关闭COMS参考资料:http://zhidao.baidu.com/question/2162501.html?fr=qrl3
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