场效应管的栅极g、源极s和漏极d分别是哪三个单词的缩写?

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知道大有可为答主
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栅极(Gate);
漏极(Drain);
源极(Source)。
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
科颐维
2024-10-28 广告
电商平台射线管是一种利用加速后的高能电子撞击金属靶面,从而产生电商平台射线的真空电子器件。它包含阳极和阴极两个电极,其中阴极用于发射电子,阳极则用于接受电子轰击。在高真空环境下,阴极灯丝被加热后发射出电子,电子经过高压加速后撞击阳极靶面,其... 点击进入详情页
本回答由科颐维提供
ajl412
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知道小有建树答主
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栅极(Gate)

漏极(Drain)

源极(Source)
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