物理题~ 高三 5
19.如图所示,在水平界面EF、GH、JK间,分布着两个匀强磁场,两磁场方向水平且相反大小均为B,两磁场高均为L宽度圆限。一个框面与磁场方向垂直、质量为m电阻为R、边长也...
19.如图所示,在水平界面EF、 GH、JK间,分布着两个匀强磁场,两磁场方向水平且相反大小均为B,两磁场高均为L宽度圆限。一个框面与磁场方向垂直、质量为m电阻为R、边长也为上的正方形金属框abcd,从某一高度由静止释放,当ab边刚进入第一个磁场时,金属框恰好做匀速点线运动,当ab边下落到GH和JK之间的某位置时,又恰好开始做匀速直线运动.整个过程中空气阻力不计.则
A.金属框穿过匀强磁场过程中,所受的安培力保持不变
B.金属框从ab边始进入第一个磁场2mgL刚到达第二个
磁场下边界JK过程中产生的热量为2mgL
C.金属框开始下落时ab边距EF边界的距离
D.当ab边下落到GH和JK之间做匀速运动的速度
- -~ c 选项h=(m^2gR)/2B^4L^4 D选项v2=mgR/4B^2L^2 展开
A.金属框穿过匀强磁场过程中,所受的安培力保持不变
B.金属框从ab边始进入第一个磁场2mgL刚到达第二个
磁场下边界JK过程中产生的热量为2mgL
C.金属框开始下落时ab边距EF边界的距离
D.当ab边下落到GH和JK之间做匀速运动的速度
- -~ c 选项h=(m^2gR)/2B^4L^4 D选项v2=mgR/4B^2L^2 展开
2个回答
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A) 错 这里不知道框面的边长按照题意这里的框面边长应该也是L,那么 ab边进入EF边后受力为mg 框面匀速下落直到dc边也经过EF边ab进入GH边此时磁通量变化是之前的四倍安培力(F=BIL
I=φ/tR=BLV/R)
是之前四倍,框面以初始变加速度g减速下落,直到当ab边下落到GH和JK之间的某位置时,又恰好开始做匀速直线运动。所以安培力是变化的。
B) 错 ab边下落至JK速度小于EF时的速度能量不只是2mgL
C) 匀速时重力等于安培力,F=BIL=mg=B²L²V/R mgh=½mV² h=m²gR²/(2B⁴L⁴)
D)当ab边下落到GH和JK之间 此时ab边与dc边都在切割磁场,两边也都受安培力作用I=2BLV/R F=mg=2BLV(B2L)/R=4B²L²V/R V=mgR/4B²L²=V₂
所以D项正确。
I=φ/tR=BLV/R)
是之前四倍,框面以初始变加速度g减速下落,直到当ab边下落到GH和JK之间的某位置时,又恰好开始做匀速直线运动。所以安培力是变化的。
B) 错 ab边下落至JK速度小于EF时的速度能量不只是2mgL
C) 匀速时重力等于安培力,F=BIL=mg=B²L²V/R mgh=½mV² h=m²gR²/(2B⁴L⁴)
D)当ab边下落到GH和JK之间 此时ab边与dc边都在切割磁场,两边也都受安培力作用I=2BLV/R F=mg=2BLV(B2L)/R=4B²L²V/R V=mgR/4B²L²=V₂
所以D项正确。
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