求高手解答微机原理一I/O端口的题,要具体过程, 50
这个题的答案是I/O:F0000H-FFFFFH存储器是:00000H-EFFFFH供高手参考,我要的是详细的解题过程,解说的好的另追加金币题目在图上,请注意...
这个题的答案是 I/O :F0000H-FFFFFH
存储器是:00000H-EFFFFH
供高手参考,我要的是详细的解题过程,解说的好的另追加金币
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存储器是:00000H-EFFFFH
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首先说明的是此图肯定是错误的。按他的意图读写都是低电平有效来理解的话,图中最上面的那两个与非门,应该改成或门。且M/IO这个管脚应该是高电平有效。
设M/IO为高电平。图中,当IOR和IOW分别有效(为0)时,此时MEMR和MEMW分别有效(为0);当ADDR16-19中有任意一根地址线为0时,那个四输入的与门输出0,此时不管IOR和IOW为1还是0,IOR和IOW都为1,即不能访问IO设备。但此时MEMR和MEMW是不受影响的,即在0x00000-0xEFFFF区间,MEMR=RD,MEMW = WR ,也就是说此时访问的是Memory。
当ADDR16-19都为1时,此时那个四输入的与门输出1,且有IOR=RD,IOW = WR ,此时访问的是IO设备。其地址范围是0xF0000-0xFFFFF。
明白了吧。
注意,在0xF0000-0xFFFFF区间,Memory和IO设备地址是重叠的。自己理解下。
设M/IO为高电平。图中,当IOR和IOW分别有效(为0)时,此时MEMR和MEMW分别有效(为0);当ADDR16-19中有任意一根地址线为0时,那个四输入的与门输出0,此时不管IOR和IOW为1还是0,IOR和IOW都为1,即不能访问IO设备。但此时MEMR和MEMW是不受影响的,即在0x00000-0xEFFFF区间,MEMR=RD,MEMW = WR ,也就是说此时访问的是Memory。
当ADDR16-19都为1时,此时那个四输入的与门输出1,且有IOR=RD,IOW = WR ,此时访问的是IO设备。其地址范围是0xF0000-0xFFFFF。
明白了吧。
注意,在0xF0000-0xFFFFF区间,Memory和IO设备地址是重叠的。自己理解下。
追问
那个 RD和WR有什么作用啊,还有在访问M你说MEMR和MEMW是不受影响,那影响它的是什么,还有MEMR=RD,MEMW = WR是咋出来的,如果RD 和RW为0,MIO为1的话按按照此图算出的MEMR和MEMW是1啊,那就不是低有效了,还有你说这图错了,那你解题是按照这个错误的图解的吗,那个注意的地方,那为什么memory的地址范围里没有F0000—FFFFF啊,问题有点多,麻烦你了
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