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三极管做开关时镇如灶是使其工作在饱和和截止区域的。
一般截止区的条件大家都很清楚,是基极和发射极的电压差要小于其自身的导通电压(即导通的最低电压,一般我们认为硅的导通电压是0.7v,锗是0.5v,只有当加在三级管的电压超过这个值才会导通,橡嫌低于这个值的时候,三级管会出现在死区,也御扮就是没电流通过,或者非常小)。
而饱和区的确定就要看基极电流和发射极电流(饱和时,发射极和集电极间的压差很小,相当于短路,故此时集电极电流约等于发射极电流)关系了。
一般使基极电流Ib*β<Ic(β为电流放大系数),就可以确保其到达饱和状态。所以我们可以先计算集电极和发射极支路的电流,一般是电源电压除以电阻值。而基极和发射极支路的电流是电源电压减去三极管的导通电压再除以电阻值。按照上式比较后就可以知道三极管是不是处在饱和状态。
一般三极管的电流可以用加入的电源电压和其支路的电阻确定其电流值,继而得知其的工作状态,但三极管的允许工作电流有一个限值,进行设计时要看好三极管的数据手册。
一般截止区的条件大家都很清楚,是基极和发射极的电压差要小于其自身的导通电压(即导通的最低电压,一般我们认为硅的导通电压是0.7v,锗是0.5v,只有当加在三级管的电压超过这个值才会导通,橡嫌低于这个值的时候,三级管会出现在死区,也御扮就是没电流通过,或者非常小)。
而饱和区的确定就要看基极电流和发射极电流(饱和时,发射极和集电极间的压差很小,相当于短路,故此时集电极电流约等于发射极电流)关系了。
一般使基极电流Ib*β<Ic(β为电流放大系数),就可以确保其到达饱和状态。所以我们可以先计算集电极和发射极支路的电流,一般是电源电压除以电阻值。而基极和发射极支路的电流是电源电压减去三极管的导通电压再除以电阻值。按照上式比较后就可以知道三极管是不是处在饱和状态。
一般三极管的电流可以用加入的电源电压和其支路的电阻确定其电流值,继而得知其的工作状态,但三极管的允许工作电流有一个限值,进行设计时要看好三极管的数据手册。
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Vddc高时,此时Q3发射结正偏,Q3导通,D2发光;Q3导通导致R49左边电势被拉低到地,此时Q4发射结正偏,Q4导团扰通,Vdd1被拉高,输出Vdd。同理Vddc低时亮或扰,Q3发射敬旦结零偏,无法导通,此时R49电阻的左边接Vdd,为高,导致Q4发射结零偏,Q4无法导通,导致Vdd1输出通过电阻R46被拉低到地。
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你兆拿游想要了敏扮解其工作原族销理,首先需要具备一定的电子基础知识,
急用先学,也没什么不行的,只是遇到的困难,和所付出的要多些
急用先学,也没什么不行的,只是遇到的困难,和所付出的要多些
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这个图也太少了吧!而且缺少很多东西怎么分析,只能说有光时pvv1=pvv,vdd1=vdd。而已
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