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什么是Flash Memory存储器
介绍关于闪速存储器有关知识 近年来,发展很快的新型半导体存储器是闪速存储器(Flash Memory)。它的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息。就其本质而言,Flash Memory属于EEPROM(电擦除可编程只读存储器)类型。它既有ROM的特点,又有很高的存取速度,而且易于擦除和重写, 功耗很小。目前其集成度已达4MB,同时价格也有所下降。
由于Flash Memory的独特优点,如在一些较新的主板上采用Flash ROM BIOS,会使得BIOS 升级非常方便。 Flash Memory可用作固态大容量存储器。目前普遍使用的大容量存储器仍为硬盘。硬盘虽有容量大和价格低的优点,但它是机电设备,有机械磨损,可靠性及耐用性相对较差,抗冲击、抗振动能力弱,功耗大。因此,一直希望找到取代硬盘的手段。由于Flash Memory集成度不断提高,价格降低,使其在便携机上取代小容量硬盘已成为可能。 目前研制的Flash Memory都符合PCMCIA标准,可以十分方便地用于各种便携式计算机中以取代磁盘。当前有两种类型的PCMCIA卡,一种称为Flash存储器卡,此卡中只有Flash Memory芯片组成的存储体,在使用时还需要专门的软件进行管理。另一种称为Flash驱动卡,此卡中除Flash芯片外还有由微处理器和其它逻辑电路组成的控制电路。它们与IDE标准兼容,可在DOS下象硬盘一样直接操作。因此也常把它们称为Flash固态盘。 Flash Memory不足之处仍然是容量还不够大,价格还不够便宜。因此主要用于要求可靠性高,重量轻,但容量不大的便携式系统中。在586微机中已把BIOS系统驻留在Flash存储器中。
http://bbs.zol.com.cn/index20060220/index_17_241442.html
介绍关于闪速存储器有关知识 近年来,发展很快的新型半导体存储器是闪速存储器(Flash Memory)。它的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息。就其本质而言,Flash Memory属于EEPROM(电擦除可编程只读存储器)类型。它既有ROM的特点,又有很高的存取速度,而且易于擦除和重写, 功耗很小。目前其集成度已达4MB,同时价格也有所下降。
由于Flash Memory的独特优点,如在一些较新的主板上采用Flash ROM BIOS,会使得BIOS 升级非常方便。 Flash Memory可用作固态大容量存储器。目前普遍使用的大容量存储器仍为硬盘。硬盘虽有容量大和价格低的优点,但它是机电设备,有机械磨损,可靠性及耐用性相对较差,抗冲击、抗振动能力弱,功耗大。因此,一直希望找到取代硬盘的手段。由于Flash Memory集成度不断提高,价格降低,使其在便携机上取代小容量硬盘已成为可能。 目前研制的Flash Memory都符合PCMCIA标准,可以十分方便地用于各种便携式计算机中以取代磁盘。当前有两种类型的PCMCIA卡,一种称为Flash存储器卡,此卡中只有Flash Memory芯片组成的存储体,在使用时还需要专门的软件进行管理。另一种称为Flash驱动卡,此卡中除Flash芯片外还有由微处理器和其它逻辑电路组成的控制电路。它们与IDE标准兼容,可在DOS下象硬盘一样直接操作。因此也常把它们称为Flash固态盘。 Flash Memory不足之处仍然是容量还不够大,价格还不够便宜。因此主要用于要求可靠性高,重量轻,但容量不大的便携式系统中。在586微机中已把BIOS系统驻留在Flash存储器中。
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FLASH闪存 闪存的英文名称是"Flash Memory",一般简称为"Flash",它属于内存器件的一种,是一种不挥发性( Non-Volatile )内存。
闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异:目前各类 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都属于挥发性内存,只要停止电流供应内存中的数据便无法保持,因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存;闪存在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据,其存储特性相当于硬盘,这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。
闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异:目前各类 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都属于挥发性内存,只要停止电流供应内存中的数据便无法保持,因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存;闪存在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据,其存储特性相当于硬盘,这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。
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TF卡(全称TransFlash)是由世界著名存储设备商
SanDisk开发的一种全球最小闪存卡,尺寸15 x 11 x 1mm,约为SD卡的1/4,和一片指甲差不多大小。在当然按照SanDisk公司的一惯作风,只要和适配器结合使用,就可以使用在标准SD卡设备上。
得益于其较小的身材,支持TF的设备(比如手机)可以体积上做的和常规差不多大小。而手机界的巨头之一摩托罗拉是此种设备使用最为广泛的企业,在诸如C975、E398、A840、V710、E1000、A1000、V1000等多款手机中都可以使用TF卡。
TF卡(全称TransFlash)是由世界著名存储设备商
SanDisk开发的一种全球最小闪存卡,尺寸15 x 11 x 1mm,约为SD卡的1/4,和一片指甲差不多大小。在当然按照SanDisk公司的一惯作风,只要和适配器结合使用,就可以使用在标准SD卡设备上。
得益于其较小的身材,支持TF的设备(比如手机)可以体积上做的和常规差不多大小。而手机界的巨头之一摩托罗拉是此种设备使用最为广泛的企业,在诸如C975、E398、A840、V710、E1000、A1000、V1000等多款手机中都可以使用TF卡。
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闪存是一种不挥发性( Non-Volatile )内存,在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据,其存储特性相当于硬盘,这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。
NAND 闪存的存储单元则采用串行结构,存储单元的读写是以页和块为单位来进行(一页包含若干字节,若干页则组成储存块, NAND 的存储块大小为 8 到 32KB ),这种结构最大的优点在于容量可以做得很大,超过 512MB 容量的 NAND 产品相当普遍, NAND 闪存的成本较低,有利于大规模普及。
NAND 闪存的缺点在于读速度较慢,它的 I/O 端口只有 8 个,比 NOR 要少多了。这区区 8 个 I/O 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送,速度要比 NOR 闪存的并行传输模式慢得多。再加上 NAND 闪存的逻辑为电子盘模块结构,内部不存在专门的存储控制器,一旦出现数据坏块将无法修,可靠性较 NOR 闪存要差。
NAND 闪存被广泛用于移动存储、数码相机、 MP3 播放器、掌上电脑等新兴数字设备中。由于受到数码设备强劲发展的带动, NAND 闪存一直呈现指数级的超高速增长.
NOR和NAND是市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
NAND 闪存的存储单元则采用串行结构,存储单元的读写是以页和块为单位来进行(一页包含若干字节,若干页则组成储存块, NAND 的存储块大小为 8 到 32KB ),这种结构最大的优点在于容量可以做得很大,超过 512MB 容量的 NAND 产品相当普遍, NAND 闪存的成本较低,有利于大规模普及。
NAND 闪存的缺点在于读速度较慢,它的 I/O 端口只有 8 个,比 NOR 要少多了。这区区 8 个 I/O 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送,速度要比 NOR 闪存的并行传输模式慢得多。再加上 NAND 闪存的逻辑为电子盘模块结构,内部不存在专门的存储控制器,一旦出现数据坏块将无法修,可靠性较 NOR 闪存要差。
NAND 闪存被广泛用于移动存储、数码相机、 MP3 播放器、掌上电脑等新兴数字设备中。由于受到数码设备强劲发展的带动, NAND 闪存一直呈现指数级的超高速增长.
NOR和NAND是市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
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