Question

nor flash是周期高点吗

Answer 1

　　具体：
　　看DATASHEET
　　NOR Flash数据线址线
　　NAND Flash数据线址线共用

　　NOR FLASH/NAND FLASH 现市场两种主要非易失闪存技术Intel于1988首先发NOR Flash 技术彻底改变原先由EPROMEEPROM统局面紧接着1989东芝公司发表NAND Flash 结构强调降低每比特本更高性能并且像磁盘通接口轻松升级NOR Flash 特点芯片内执行（XIP eXecute In Place）应用程序直接Flash闪存内运行必再代码读系统RAMNOR 传输效率高1~4MB容量具高本效益低写入擦除速度影响性能NAND结构能提供极高单元密度达高存储密度并且写入擦除速度快应用NAND困难于Flash管理需要特殊系统接口通NOR速度比NAND稍快些NAND写入速度比NOR快设计应该考虑些情况闪存用存储少量代码NOR闪存更适合些NAND则高数据存储密度理想解决案
　　NOR/NAND FLASH 性能比较
　　flash闪存非易失存储器称块存储器单元块进行擦写再编程任何flash器件写入操作能空或已擦除单元内进行所数情况进行写入操作前必须先执行擦除NAND器件执行擦除操作十简单NOR则要求进行擦除前先要目标块内所位都写0
　　由于擦除NOR器件64～128KB块进行执行写入/擦除操作间5s与相反擦除NAND器件8～32KB块进行执行相同操作需要4ms
　　执行擦除块尺寸同进步拉NORNADN间性能差距统计表明于给定套写入操作(尤其更新文件)更擦除操作必须基于NOR单元进行选择存储解决案设计师必须权衡各项素
　　l NOR读速度比NAND稍快些
　　2 NAND写入速度比NOR快
　　3 NAND4ms擦除速度远比NOR5s快
　　4 数写入操作需要先进行擦除操作
　　5 NAND擦除单元更相应擦除电路更少
　　接口差别
　　NOR flash带SRAM接口足够址引脚寻址容易存取其内部每字节
　　NAND器件使用复杂I/O口串行存取数据各产品或厂商能各相同8引脚用传送控制、址数据信息
　　NAND读写操作采用512字节块点点像硬盘管理类操作自基于NAND存储器取代硬盘或其块设备
　　易于使用
　　非直接使用基于NOR闪存像其存储器连接并面直接运行代码
　　由于需要I/O接口NAND要复杂各种NAND器件存取厂家异
　　使用NAND器件必须先写入驱程序才能继续执行其操作向NAND器件写入信息需要相技巧设计师绝能向坏块写入意味着NAND器件自始至终都必须进行虚拟映射
　　软件支持
　　讨论软件支持候应该区别基本读/写/擦操作高级用于磁盘仿真闪存管理算软件包括性能优化
　　NOR器件运行代码需要任何软件支持NAND器件进行同操作通需要驱程序内存技术驱程序(MTD)NANDNOR器件进行写入擦除操作都需要MTD
　　使用NOR器件所需要MTD要相少些许厂商都提供用于NOR器件更高级软件其包括M-SystemTrueFFS驱该驱Wind River System、Microsoft、QNX Software System、SymbianIntel等厂商所采用

Answer 2

简单说明：NAND FLASH内部结构是用与非门组成存储单元的。有非易失性，读写速度快，而且比较容易做到大容量。目前单片NAND FLASH存储容量可以达到8Gbit（1GByte)。NOR FLASH也有非易失性。随机存储速度比NAND FLASH 快得多。所以一般用NOR FLASH 用做内存片，或者叫做数据缓冲。而NAND FLASH则一般用来做存储数据用。比方说，U盘.MP3等。
详细说明：
FLASH存储器又称闪存，主要有两种：NorFlash和NandFlash，下面我们从多个角度来对比介绍一下。在实际开发中，设计者可以根据产品需求来进行闪存的合理选择。

1、接口对比

NorFlash带有通用的SRAM接口，可以轻松地挂接在CPU的地址、数据总线上，对CPU的接口要求低。NorFlash的特点是芯片内执行(XIP,eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。如uboot中的ro段可以直接在NorFlash上运行，只需要把rw和zi段拷贝到RAM中运行即可。

NandFlash器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。由于时序较为复杂，所以一般CPU最好集成NAND控制器。另外由于NandFlash没有挂接在地址总线上，所以如果想用NandFlash作为系统的启动盘，就需要CPU具备特殊的功能，如s3c2410在被选择为NandFlash启动方式时会在上电时自动读取NandFlash的4k数据到地址0的SRAM中。如果CPU不具备这种特殊功能，用户不能直接运行NandFlash上的代码，那可以采取其他方式，比如好多使用NandFlash的开发板除了使用NandFlash以外，还用上了一块小的NorFlash来运行启动代码。

2、容量和成本对比

相比起NandFlash来说，NorFlash的容量要小，一般在1~16MByte左右，一些新工艺采用了芯片叠加技术可以把NorFlash的容量做得大一些。在价格方面，NorFlash相比NandFlash来说较高，如目前市场上一片4Mbyte的AM29lv320 NorFlash零售价在20元左右，而一片128MByte的k9f1g08 NandFlash零售价在30元左右。

NandFlash生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，这样也就相应地降低了价格。

3、可靠性性对比

NAND器件中的坏块是随机分布的，以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。而坏块问题在NorFlash上是不存在的。

在Flash的位翻转（一个bit位发生翻转）现象上，NAND的出现几率要比NorFlash大得多。这个问题在Flash存储关键文件时是致命的，所以在使用NandFlash时建议同时使用EDC/ECC等校验算法。

4、寿命对比

在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。闪存的使用寿命同时和文件系统的机制也有关，要求文件系统具有损耗平衡功能。

5、升级对比

NorFlash的升级较为麻烦，因为不同容量的NorFlash的地址线需求不一样，所以在更换不同容量的NorFlash芯片时不方便。通常我们会通过在电路板的地址线上做一些跳接电阻来解决这样的问题，针对不同容量的NorFlash。

而不同容量的NandFlash的接口是固定的，所以升级简单。

6、读写性能对比

写操作：任何flash器件的写入操作都只能在空或已擦除的单元内进行。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个擦除/写入操作的时间约为5s。擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行一个擦除/写入操作最多只需要4ms。

读操作：NOR的读速度比NAND稍快一些。

7、文件系统比较

Linux系统中采用MTD来管理不同类型的Flash芯片，包括NandFlash和NorFlash。支持在Flash上运行的常用文件系统有cramfs、jffs、jffs2、yaffs、yaffs2等。cramfs文件系统是只读文件系统。如果想在Flash上实现读写操作，通常在NorFlash上我们会选取jffs及jffs2文件系统，在NandFlash上选用yaffs或yaffs2文件系统。Yaffs2文件系统支持大页（大于512字节/页）的NandFlash存储器。