局部导体二次磁场的时间特性
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2020-01-14 · 技术研发知识服务融合发展。
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从式(3-21)出发,在R、L串联闭合回路中,令A=R/L,在阶跃磁场激发下的感应电磁场,经数学推导得
f(t)=-e-At+u(t-t0)e-A(t-t0)
式中:u(t-t0)为单位阶跃函数。上式计算结果如图3-6所示。
由图可见,当一次场方波电流断开时(t=t0),由于磁场变化很大,激励导体产生感应电流。此感应电流以热损耗逐渐消失,形成渐变的过渡过程。因此,在导体周围空间形成随时间衰减的二次磁场。由于地下导体具有感抗,且导电性越好,感抗越大,因而A值越小。故由上式可见,在导电性好的导体上,H2的衰减较导电性差者慢,因此,在断电后的较晚时间仍能观测到它。
图3-6 RL回线的时间特性
t0=1ms
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