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其实不懂电脑的人也会知道45nm比65nm更先进 但是要具体说明 恐怕一时半会也很难说清 所以在此也只是简单介绍一下 希望对你能有所帮助 要先从大规模集成电路中最基本的金属氧化物半导体(MOS)晶体管说起 在实际应用中 我们利用MOS进行0、1的信号传输 在栅极不通电的时候 源区的信号是不能通过衬底到达漏区的 这时即表示信号0 但如果我们在栅极和衬底间加电的话 衬底中的电荷就会在绝缘氧化层下大量聚集 使得电流可以通过 形成信号1 这就是MOS的工作原理 在后来的应用中科学家发现不断通过的电流使MOS的公耗过高 于是又开发了CMOS并有了之后的各种改进 在生产中一般采用的生产方式是光刻 光刻是在掩模板上进行的 宏观上理讲 只要提高掩模板的分辨律就能刻出更多MOS管了 但在微观中就不是这样了 光刻时要先在硅片上涂一层光刻胶 而所谓的45nm技术就是在最初栅极上留下45nm宽度的光刻胶 所以每次工艺的升级都伴随着光刻设备的升级 MOS越多其热量的产生也会越多 所以在进入45nm后 英特尔宣布引入High-K技术以降低功耗 所以相对于65nm工艺来说45nm在底漏电律的情况下功耗更底 另外45nm的发展导致了业界的洗牌 这也是65nm没做到的
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上海宇玫博生物科技有限公司
2018-06-11 广告
2018-06-11 广告
就是说制造CPU各个元器件的距离越来越小 使处理器的核心面积越来越小 也可以理解成 相同面积大小的cpu可以容纳更多元件 也可以减少cpu的功耗 减小发热量 简单说一下纳米数越低,CPU制作工艺越精良,同样面积大小的核心上集成的晶体管量越多...
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45nm指集成到板子上时,两个管子之间,两条线间距的一半,实际晶体管比45nm要小,所以45nm不是指晶体管的尺寸
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代表的是制作工艺,其数字越小,每平方厘米容纳的晶体管就越多,耗能越少,速度越快、性能越高
就是说制造CPU各个元器件的距离越来越小 使处理器的核心面积越来越小 也可以理解成 相同面积大小的cpu可以容纳更多元件 也可以减少cpu的功耗 减小发热量 简单说一下纳米数越低,CPU制作工艺越精良,同样面积大小的核心上集成的晶体管量越多,功耗越小,性能越强~ 大哥 每个制造工艺的CPU还分型号呢 ..你这个没发比 1.相比65nm工艺,新45nm工艺中晶体管密度提升2倍以上,从而使得芯片体积更小,或者说单位面积可以容纳更多的晶体管。 2.相比65nm工艺,新45nm工艺中晶体管切换功率将降低30%以上。 3.相比65nm工艺,新45nm工艺中晶体管切换速度提升20%以上。 4.相比65nm工艺,新45nm工艺中源级-漏级漏电功率降低了5倍以上 5.相比65nm工艺,新45nm工艺中栅极氧化物漏电功率降低10倍以上
就是说制造CPU各个元器件的距离越来越小 使处理器的核心面积越来越小 也可以理解成 相同面积大小的cpu可以容纳更多元件 也可以减少cpu的功耗 减小发热量 简单说一下纳米数越低,CPU制作工艺越精良,同样面积大小的核心上集成的晶体管量越多,功耗越小,性能越强~ 大哥 每个制造工艺的CPU还分型号呢 ..你这个没发比 1.相比65nm工艺,新45nm工艺中晶体管密度提升2倍以上,从而使得芯片体积更小,或者说单位面积可以容纳更多的晶体管。 2.相比65nm工艺,新45nm工艺中晶体管切换功率将降低30%以上。 3.相比65nm工艺,新45nm工艺中晶体管切换速度提升20%以上。 4.相比65nm工艺,新45nm工艺中源级-漏级漏电功率降低了5倍以上 5.相比65nm工艺,新45nm工艺中栅极氧化物漏电功率降低10倍以上
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一般指的是芯片制作工作规格大小,比如CPU,GPU,主板上的芯片等等,nm越小说明工艺越好,可集成元件越多。 希望可以对你有所帮助
追问
谢谢您,我的意思是说,这个指的是从哪里到哪里的距离是45nm或者65nm?
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说的是制作工艺达到纳米级技术,45nm就意味着相同的面积可以比65nm集成更多的元件。使元件的性能提升的更高。
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