晶体管的输出特性,为什么ic随着Uce增大有明显的增大的区域叫饱和区,而ic随着Uce变化基本不变叫放大区?
课本上解释“对于某一条曲线,当Uce从零逐渐增大时,集电结电厂增强,收集能力增强,当Uce增大到一定数值,足以将基区的绝大多数非平衡少子都收集到集电区来,所以Ic没有明显...
课本上解释“对于某一条曲线,当Uce从零逐渐增大时,集电结电厂增强,收集能力增强,当Uce增大到一定数值,足以将基区的绝大多数非平衡少子都收集到集电区来,所以Ic没有明显变化,曲线几乎平行于横轴” 我的理解,处于放大区时,Uce=Vcc-icRc,随着Ib增大,ic也增大,所以Uce在一直减少啊,当c点电位下降到等于B点电位事,进入饱和状态,Ic电流不再增大了,Uce输出电压也是一定的啊,求各位专家网友解惑,在如下电路中,应该如何分析饱和区和放大区的特性,又怎样跟输出特性上两个区表现出来的特性吻合。
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4个回答
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你的理解也是对的,但那是在你描述的电路里是对的,是和RC/VCC一起组成电路后的效果。不是输出特性曲线相表达的东西,比如说二极管的正向伏安特性曲线,如果你也串上Rc再加上VCC,那么随着i的变大,RC电压变大,VCC不变那么可以导出二极管两端电压在减少,而与二极管伏安特性曲线所描述的v不断加大而矛盾。所以只看器件不要组成电路。
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首先,我的回答肯定会颠覆大部分初学者的认知。
我太清楚你的问题了和我以前刚刚学的问题一模一样,你真的很有独立思考能力。
首先,你的第一个问题Uce增大ic不变,从三极管本身特性出发是,Uce大到已经可以讲大多数自由电子收集了,所以ic当然不变,但从电路上恰恰相反,我问你你难道否认Uce增大收集电子能力不增反倒减弱吗?当然不是,我请问你一下uce怎么发送改变,还不是因为ic发生了改变,那我再问你,ic怎么改变,因为ib发生了改变。现在好了你说uce增大ic减小,但是在伏安特性图上ic增大,我问你,谁说伏安特性图上ic增大了,你考虑过ib发生了改变没有,我问你uce增大是不是因为ib减小,那你应该看的是下面的曲线,而不是盯着ib你以为ib不变的曲线看,那你说ic是不是减小了?至此第一个问题回答完毕。
第二个问题,uce增大确实,收集电子能力加强,但是还是和上面一样ib减小了,那么发射级的电子到基级的就少了,你集电极收集强有什么用,电子都少了啊!当然电流会减小。
所以,你根本没有考虑ic和uce的改变会不会引起ib的改变,考虑不周到,犯了以前困扰我两年的错误。
我太清楚你的问题了和我以前刚刚学的问题一模一样,你真的很有独立思考能力。
首先,你的第一个问题Uce增大ic不变,从三极管本身特性出发是,Uce大到已经可以讲大多数自由电子收集了,所以ic当然不变,但从电路上恰恰相反,我问你你难道否认Uce增大收集电子能力不增反倒减弱吗?当然不是,我请问你一下uce怎么发送改变,还不是因为ic发生了改变,那我再问你,ic怎么改变,因为ib发生了改变。现在好了你说uce增大ic减小,但是在伏安特性图上ic增大,我问你,谁说伏安特性图上ic增大了,你考虑过ib发生了改变没有,我问你uce增大是不是因为ib减小,那你应该看的是下面的曲线,而不是盯着ib你以为ib不变的曲线看,那你说ic是不是减小了?至此第一个问题回答完毕。
第二个问题,uce增大确实,收集电子能力加强,但是还是和上面一样ib减小了,那么发射级的电子到基级的就少了,你集电极收集强有什么用,电子都少了啊!当然电流会减小。
所以,你根本没有考虑ic和uce的改变会不会引起ib的改变,考虑不周到,犯了以前困扰我两年的错误。
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因果关系反了。应该是饱和电流较大时饱和压降较大。
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