Mini LED和Micro LED是怎样的显示技术？与当前主流的OLED显示有何区别？
小间距LED封装技术分析
SMD是表面贴装器件的简称，将裸芯片固定在支架上，通过金属线在正负极之间进行电气连接，用环氧树脂进行保护，制作成SMD LED灯珠，通过回流焊将LED灯珠与PCB进行焊接，形成显示单元模组后，再将模组安装在固定箱体上，配以电源、控制卡及线材等形成LED显示屏成品。
SMD封装的产品相对其他封装形势、利大于弊，符合国内市场需求特点（决策、采购、使用），也是目前行业主流产品，能快速得到服务响应。
COB工艺是直接将LED芯片用导电或非导电胶粘附在PCB基本上，进行引线键合实现电气连接（正装工艺）或采用芯片倒装技术（无需金属线）使灯珠正负极直接与PCB连接（倒装工艺），最后形成显示单元模组，再将模组安装在固定箱体上，配以电源、控制卡及线材等形成LED显示屏成品。COB技术其优点在于简化了生产流程，降低了产品成本，功耗降低因此显示表面温度降低，对比度大幅提升，其缺点在于可靠性面临更大挑战，修灯困难，亮度、颜色、墨色还难做到一致性。
IMD是将N组RGB灯珠集成封装在一个小单元中，形成一个灯珠。主要技术路线：共阳4合1、共阴2合1、共阴4合1、共阴6合1等。其优点在于集成封装的优势灯珠尺寸更大，表贴更容易，可实现更小点间距，降低维护难度，其缺点在于目前产业链还不完善，价格较高、可靠性面临更大挑战，维护不方便，亮度、颜色、墨色一致性还未解决，还需进一步提升。
Micro LED是将传统LED阵列化、微缩化后定址巨量转移到电路基板上，形成超小间距LED，将毫米级别的LED长度进一步微缩到微米级，以达到超高像素、超高解析率，理论上能够适应各种尺寸屏幕的技术。目前，Micro LED瓶颈中，关键技术在于突破微缩制程技术和巨量转移技术，其次，薄膜转移技术能够突破尺寸限制完成批量转移，有望降低成本。
GOB是表贴模组整体表面覆胶技术，是在传统SMD小间距模组表面封装一层透明胶体，解决强状性及防护性，本质上还是SMD小间距产品，其优势在于降低了死灯率，增加了灯珠的防磕碰强度和表面防护性，其缺点在于难以修灯，胶体应力导致的模组变形，反光，局部脱胶、胶体变色，虚焊难以修复等特点。
