微机原理习题,请高手帮忙!!!!!
<1>已知ds=24f3h,es=f400h,cs=18fch,ss=4210h,bx=3842h,bp=1000h,sp=1200h,si=e409h,di=8424h...
<1>已知ds=24f3h,es=f400h,cs=18fch,ss=4210h,bx=3842h,bp=1000h,sp=1200h,si=e409h,di=8424h,al=0f4h请写出下列个指令中存储器操作数的逻辑地址和物理地址:(1)mov ax,[bx] (2)xlat (3)mov es:[bx+si] al (4)push bx (5)mov al [bx+di] (6)inc byteptr[bp+si] (7)mov sb <2>若8086cpu的引脚mn/mn(非)接+5v。则当执行out指令时,其引脚信号m/io(非)=?rd(非)=?wr(非)=?
高手们帮我做一下吧!!!在此先谢谢你们了!!! 展开
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(1)mov ax,[bx]存储器操作数的逻辑地址为3842h,物理地址为28772h;
(2)xlat存储器操作数的逻辑地址为3936h,物理地址为28866h;
(3)mov es:[bx+si],al存储器操作数的逻辑地址为1c4bh,物理地址为f5c4bh;
(4)push bx存储器操作数的逻辑地址为1200h,物理地址为43300h;
(5)mov al,[bx+di]存储器操作数的逻辑地址为bc66h,物理地址为30b96h;
(6)inc byte ptr[bp+si]存储器操作数的逻辑地址为f409h,物理地址为51509h;
(7)movsb存储器操作数的逻辑地址为e409h和8424h,物理地址为33339h和fc424h
<2>若8086cpu的引脚mn/mx(非)接+5v。则当执行out指令时(表示完成外设写操作,所以io(非)和wr(非)有效,反变量有效电平为低电平),其引脚信号m/io(非)=0 ,rd(非)=1 ,wr(非)=0 。
(1)mov ax,[bx]存储器操作数的逻辑地址为3842h,物理地址为28772h;
(2)xlat存储器操作数的逻辑地址为3936h,物理地址为28866h;
(3)mov es:[bx+si],al存储器操作数的逻辑地址为1c4bh,物理地址为f5c4bh;
(4)push bx存储器操作数的逻辑地址为1200h,物理地址为43300h;
(5)mov al,[bx+di]存储器操作数的逻辑地址为bc66h,物理地址为30b96h;
(6)inc byte ptr[bp+si]存储器操作数的逻辑地址为f409h,物理地址为51509h;
(7)movsb存储器操作数的逻辑地址为e409h和8424h,物理地址为33339h和fc424h
<2>若8086cpu的引脚mn/mx(非)接+5v。则当执行out指令时(表示完成外设写操作,所以io(非)和wr(非)有效,反变量有效电平为低电平),其引脚信号m/io(非)=0 ,rd(非)=1 ,wr(非)=0 。
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深圳市鼎信智慧科技有限公司_
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2题 mn/mn(非)接+5v。说明工作在最小模式,则当执行out指令时,是往i/o端口写数据。引脚信号m/io(非)=0 rd(非)=1,wr(非)=1
第一题 1,逻辑地址:3842h,物理地址:28772h
2,前面似乎还应该有语句 这个不是单独拿来用的
3 逻辑地址:1cc4bh 物理地址:f504bh
4逻辑:1200h 物理:43300h
6逻辑:f409h 物理:51509h
5逻辑:0bc66h 物理:30b96h
7mov sb 你确定这是原题么 ?
第一题 1,逻辑地址:3842h,物理地址:28772h
2,前面似乎还应该有语句 这个不是单独拿来用的
3 逻辑地址:1cc4bh 物理地址:f504bh
4逻辑:1200h 物理:43300h
6逻辑:f409h 物理:51509h
5逻辑:0bc66h 物理:30b96h
7mov sb 你确定这是原题么 ?
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