阻容耦合的放大电路中,耦合电容影响放大电路
在阻容放大电路中,耦合电容是影响放大电路下限截止频率的主要因素, 三极管结电容是影响放大电路上限截止频率的主要因素。
这是一个关于阻容放大电路的观点陈述。概括而言,耦合电容和三极管结电容都是影响阻容放大电路频率特性的因素,但它们所影响的截止频率不同。
具体来说,耦合电容是指连接放大电路中两个级之间的电容,它会对信号的低频响应产生影响,从而影响放大电路的下限截止频率。而三极管结电容则是指三极管本身的 pn 结电容,它会对信号的高频响应产生影响,从而影响放大电路的上限截止频率。
因此,在设计阻容放大电路时,需要根据具体的应用场景和要求,综合考虑耦合电容和三极管结电容等因素,以达到最优的频率特性和放大性能。
三极管的工作原理
晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N是负极的意思(代表英文中Negative),N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而P是正极的意思(Positive)是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。
在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)及基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电子流。