Question

问下DSP2812为什么程序烧写到flash中和在ram中调试的延时时间会不一样呢？

问下为什么程序烧写到flash中和在ram中调试的延时时间会不一样呢？
就一个简单的流水灯程序，主要程序如下：
for(i = 0;i < 6;i++)
{
GpioDataRegs.GPADAT.all = 1<<i;
delay(300);
}
延时程序如下：
void delay(Uint16 delaytime)
{
Uint16 i,j;
for(i=0;i<delaytime;i++)
for(j=0;j<6250;j++);
}

就这个程序烧写到flash中比在ram中延时时间明显长了好多，这是为什么呢？

Answer 1

因为cpu从flash的读取速度远低于cpu从ram中的读取速度，一般要加1或2个周期的延迟。所以就有差别了。

追问

那如果2812的时钟是150M，他的时钟周期是6.67ns，这个是指直接ram运行的时间？
如果我程序用for循环来延时，如何计算大致的延时时间呢。
以前用arm，都大致能计算的差不多的

Answer 2

程序在 RAM 中运行的快啊，一般说主频 100MHz 是指在 RAM 中，在 Flash 里是要缩水的。假如你的延时程序在 RAM 种可能 1000 个时钟周期就可以运行完，但在 Flash 里虽然也是 1000 个时钟周期，但时钟周期却变长了。所以很多情况下，比较关键的程序段会被拷贝到 RAM 里运行，以增加性能。