请问半导体物理中轻空穴重空穴的物理本质是什么, 我不需要所谓的公式推导,只求直观物理情景
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Si和Ge价带顶位于布里渊区中心k=0处,并且价带是简并的(若一个能级与一种以上的状态相对应,则称之为简并能级,属于同一能级的不同状态的数目称为该能级的简并度)。由于能带简并,Si和Ge分别具有有效质量不同的两种空穴,有效质量较大的(mp)h称为重空穴,有效质量较小的(mp)l称为轻空穴。
按照半导体理论,计算出的孔穴有效质量 如取负号,则得到有效质量较大的空穴,称为重空穴。 如取正号,则得到有效质量较小的空穴,称为轻空穴。
(mp)h 重空穴有效质量
(mp)l 轻空穴有效质量
按照半导体理论,计算出的孔穴有效质量 如取负号,则得到有效质量较大的空穴,称为重空穴。 如取正号,则得到有效质量较小的空穴,称为轻空穴。
(mp)h 重空穴有效质量
(mp)l 轻空穴有效质量
追问
请问有没有再直观一些的物理模型?你回答得还是很理论。
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