Question

飞思卡尔mc9s12x中的RAM，FLASH,EEPROM的作用分别是什么

Answer 1

flash用于存放程序代码，eeprom的功能差不多，就是存储机制不一样而已，速度稍快，易擦写，多用于存放掉电不丢失的数据，ram数据掉电丢失，但是速度很快，用于存放程序运行时候的变量等，希望可以帮到你哦

Answer 2

什么是MRAM，有什么特点 简称：MRAM
标准：Magnetoresistive Random Access Memory
中文：磁性随机存储器
磁性随机存储器是正在开发阶段的，基于半导体(1T)和磁通道(magnetic tunnel junction-MTJ)技术的固态存储介质，属于非挥发性芯片。主要开发厂商有IBM、Infineon(英飞凌)、Cypress和Motorola(摩托罗拉)。其擦写次数高于现有的Flash存储器，可达1015，读写时间可达70nS。
什么是RDRAM，有什么作用 .Nwb396 { display:none; } 简称：RDRAM
标准：Rambus DRAM
中文：Rambus动态随机存储器

这是一种主要用于影像加速的内存 (Memory ) ，提供了1000Mbps的传送速率，作业时不会间断，比起动态随机存取内存 (DRAM ) 的200mbps更加快速，当然价格比要DRAM贵。虽然RDRA无法完全取代现有内存，不过因为总线 (BUS) 速度的需求，可以取代DRAM与静态随机存取内存 (SRAM ) 。 SDRAM的运算速度为100赫兹 (Hz ) ，制造商展示的RDRAM则可达600MHz，内存也只有8或9位 (bit ) 长，若将RDRAM并排使用，可以大幅增加频宽 (Bandwidth) ，将内存增为32或64位。非易失性存储器。电源撤除后，储存的信息(Data)依然存在，在特殊管脚上施加电压，同时输出相应命令，就可以擦除内部数据。典型应用于如电视机、空调中，存储用户设置的参数。
{2IoG$[jerryer这种存储器支持再线修改数据，每次写数据之前，必须保证书写单元被擦除干净，写一个数据的大约时间在2-10ms之间。支持单字节单元擦除功能。
什么是DRAM，有什么作用DRAM：动态随机存储器
一般计算机系统使用的随机存取内存(RAM)可分动态与静态随机存取内存(SRAM)两种，差异在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，才能维系数据保存，SRAM的数据则不需要刷新过程，在上电期间，数据不会丢失。
什么是Flash存储器，有什么作用简称：Flash或FlashEDA
标准：Memory
中文：闪烁存储器
非易失性存储器。是目前在可在线可改写的非挥发性存储器中容量最大的存储器。支持再线修改数据，写数据的速度比EEPROM提高1个数量级。
CxIoeQn Y6g/d VjerryerFlash应用于大容量的数据和程序存储，如电子字典库、固态硬盘、PDA上的操作系统等。