单片机C语言,怎么存储和调用一段数据
比如一个班的学生成绩,怎么存储到外部FLASH里面,又是如何调用的希望给段代码,并加以说明,万分感谢...
比如一个班的学生成绩,怎么存储到外部FLASH里面,又是如何调用的
希望给段代码,并加以说明,万分感谢 展开
希望给段代码,并加以说明,万分感谢 展开
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软件上要添加absacc.h头文件,并以如下方式声明数组或变量
xvar = XBYTE[0x1000]
然后对xvar赋值或取值即可
如果用汇编 要用 MOVX A,@DPTR 和/或 MOVX @DPTR,A 指令分别进行读写
硬件上要用到芯片6264和74LS373
C51芯片的PSEN ALE RD WR都要按照兼容方式连接
单片机可扩展性极佳,提供了丰富的微指令减轻开发者负担,利用寻址的差异区分存储空间.
事实上,上述的解决方案非常经典,网上有很多相关资料,搜索关键字:单片机扩展RAM
xvar = XBYTE[0x1000]
然后对xvar赋值或取值即可
如果用汇编 要用 MOVX A,@DPTR 和/或 MOVX @DPTR,A 指令分别进行读写
硬件上要用到芯片6264和74LS373
C51芯片的PSEN ALE RD WR都要按照兼容方式连接
单片机可扩展性极佳,提供了丰富的微指令减轻开发者负担,利用寻址的差异区分存储空间.
事实上,上述的解决方案非常经典,网上有很多相关资料,搜索关键字:单片机扩展RAM
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用的是外部的EEPROM么,如HT24LC04,可以查看外部flash的芯片资料,然后编写程序。一般是不可以直接调用的,必须要自己写 读,写 函数,然后调用自己的函数实现读写功能。如果能提供 flash的资料 ,可以给你写一段代码参考。
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unsigned char xdata 声明外部存储空间,这样保存的数据就在外部数据存储空间里面
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MSP430 FLASH型单片机的FLASH存储器模块根据不同的容量分为若干段,其中信息存储器SegmengA及SegmentB各有128字节,其他段有512字节。SegmentB的地址是:0x01000h到0x107F,SegmentA的地址是:0x01080h到0x010FFh。其他段的地址根据容量不同,从0xFFFFh开始,每512字节为一段进行分配。
FLASH存储器写入数据时,每一位只能由“1”变成“0”,不能由“0”变成“1“,因此,当我们有数据要保存到FLASH存储器时,要先对目标段进行整段擦除操作,擦除操作使的对应段FLASH存储器变成全“1”。下面是擦除FLASH段的子程序,配置好必要的寄存器后,向段中任意地址写入数据,及擦除一段。
void flash_clr(int *ptr)
{
_DINT(); //关中断
FCTL3 = 0x0A500; //* Lock = 0 开锁
FCTL1 = 0x0A502; //* Erase = 1 使能擦除
*((int *) ptr) = 0; //* 擦除段
} FLASH存储器可以按字节写入,也可以按字写入。 void flash_write_int8(int8_t *ptr, int8_t value) // 字节写入 { _DINT();
FCTL3 = 0x0A500; // Lock = 0 开锁
FCTL1 = 0x0A540; // Write = 1使能写入
*((int8_t *) ptr) = value; // 写入数据
}
void flash_write_int16(int16_t *ptr, int16_t value) // 字写入 { _DINT();
FCTL3 = 0x0A500; /* Lock = 0 */ FCTL1 = 0x0A540; /* Write = 1 */
*((int16_t *) ptr) = value; /* Program the flash */ }
// FLASH存储器可以连续写入 按字节写入指定的数量的数据
void flash_memcpy(char *ptr, char *from, int len)
{
_DINT();
FCTL3 = 0x0A500; /* Lock = 0 */
FCTL1 = 0x0A540; /* Write = 1 */
while (len) { *ptr++ = *from++; len--; } } 在我们的应用程序中可以将要保存的数据放在一个自定义的结构中,例如:
typedef struct Setup
{
float gain_ch0; // 0通道增益 float gain_ch1; // 1通道增益 float gain_ch2; // 2通道增益
char init_flag; //初始化标记,恒为0xAA;
}SETUP;
我们定义了一个SETUP结构,存放三个AD通道的增益,以及其他要掉电保存的信息,init_flag的作用是标志FLASH的参数是否已被正确初始化,当我们设置了FLASH参数后,将init_flag置一个固定值,例如设为0xAAh,在程序开始运行时,检查init_flag,当init_flag的值为0xAAh时,表明参数已被初始化。
使用FLASH参数:在程序中定义一个SETUP类型的指针变量,通过这个指针访问FLASH中的参数。例如:
#define SegmentA 0x1080
float temp;
SETUP *p_setup_flash = (SETUP *) SegmentA
if(p_setup_flash-> init_flag == 0xAA)
{
temp = p_setup_flash->gain_ch0;
}
修改FLASH信息:由于FLASH不能象RAM一样直接修改,可以将FLASH信息拷贝到RAM中,修改相应参数后,重新保存到FLASH存储器中,之前要先擦除FLASH存储区。例如:
SETUP *p_setup;
SETUP buf; // 临时变量
p_setup = (SETUP *) SegmentA // 指向FLASH memcpy((char *) buf, (char *) p_setup_flash, sizeof(SETUP)); // 拷贝到RAM p_setup = &buf; // 指向RAM
p_setup-> gain_ch0 = 1.02; // 修改参数
flash_memcpy((char *) p_setup_flash, (char *) buf, sizeof(SETUP)); // 拷贝到FLASH
FLASH存储器写入数据时,每一位只能由“1”变成“0”,不能由“0”变成“1“,因此,当我们有数据要保存到FLASH存储器时,要先对目标段进行整段擦除操作,擦除操作使的对应段FLASH存储器变成全“1”。下面是擦除FLASH段的子程序,配置好必要的寄存器后,向段中任意地址写入数据,及擦除一段。
void flash_clr(int *ptr)
{
_DINT(); //关中断
FCTL3 = 0x0A500; //* Lock = 0 开锁
FCTL1 = 0x0A502; //* Erase = 1 使能擦除
*((int *) ptr) = 0; //* 擦除段
} FLASH存储器可以按字节写入,也可以按字写入。 void flash_write_int8(int8_t *ptr, int8_t value) // 字节写入 { _DINT();
FCTL3 = 0x0A500; // Lock = 0 开锁
FCTL1 = 0x0A540; // Write = 1使能写入
*((int8_t *) ptr) = value; // 写入数据
}
void flash_write_int16(int16_t *ptr, int16_t value) // 字写入 { _DINT();
FCTL3 = 0x0A500; /* Lock = 0 */ FCTL1 = 0x0A540; /* Write = 1 */
*((int16_t *) ptr) = value; /* Program the flash */ }
// FLASH存储器可以连续写入 按字节写入指定的数量的数据
void flash_memcpy(char *ptr, char *from, int len)
{
_DINT();
FCTL3 = 0x0A500; /* Lock = 0 */
FCTL1 = 0x0A540; /* Write = 1 */
while (len) { *ptr++ = *from++; len--; } } 在我们的应用程序中可以将要保存的数据放在一个自定义的结构中,例如:
typedef struct Setup
{
float gain_ch0; // 0通道增益 float gain_ch1; // 1通道增益 float gain_ch2; // 2通道增益
char init_flag; //初始化标记,恒为0xAA;
}SETUP;
我们定义了一个SETUP结构,存放三个AD通道的增益,以及其他要掉电保存的信息,init_flag的作用是标志FLASH的参数是否已被正确初始化,当我们设置了FLASH参数后,将init_flag置一个固定值,例如设为0xAAh,在程序开始运行时,检查init_flag,当init_flag的值为0xAAh时,表明参数已被初始化。
使用FLASH参数:在程序中定义一个SETUP类型的指针变量,通过这个指针访问FLASH中的参数。例如:
#define SegmentA 0x1080
float temp;
SETUP *p_setup_flash = (SETUP *) SegmentA
if(p_setup_flash-> init_flag == 0xAA)
{
temp = p_setup_flash->gain_ch0;
}
修改FLASH信息:由于FLASH不能象RAM一样直接修改,可以将FLASH信息拷贝到RAM中,修改相应参数后,重新保存到FLASH存储器中,之前要先擦除FLASH存储区。例如:
SETUP *p_setup;
SETUP buf; // 临时变量
p_setup = (SETUP *) SegmentA // 指向FLASH memcpy((char *) buf, (char *) p_setup_flash, sizeof(SETUP)); // 拷贝到RAM p_setup = &buf; // 指向RAM
p_setup-> gain_ch0 = 1.02; // 修改参数
flash_memcpy((char *) p_setup_flash, (char *) buf, sizeof(SETUP)); // 拷贝到FLASH
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