MOS管开关状态工作在哪个区?为什么VGS>4V只是开启条件,要达到9V才能完全导通?
1.说开关模式的开状态是对应MOS管的饱和区么?那么从ID=f(VDS)的特性曲线上来看,饱和区需要VDS有一定压降,但是又说开通状态MOS管压降很小VDS接近于0?2....
1.说开关模式的开状态是对应MOS管的饱和区么?那么从ID=f(VDS)的特性曲线上来看,饱和区需要VDS有一定压降,但是又说开通状态MOS管压降很小VDS接近于0?2.VGS>4v只是大于开启电压,并没有让管子完全导通,要9V以上才能完全导通?VGS和饱和区有个P关系啊,从特性曲线上看,只要VDS>一定值,VGS>4V就到饱和区了,为什么要到9V才完全导通?
看这个东西看了一天了,网上好多人说的不一样,这个说他说的不对,那个说他说的不对,完全晕了啊。到底是怎样的啊? 展开
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1、MOS管的三个区:可变电阻区(对应三极管的饱和区),恒流区(对应三极管的放大区),夹断区(对应三极管的截止区),还有一个击穿区(对应三极管的击穿区,属于电力电子内容)。
2、MOS管的导通是一个过程,你需要仔仔细细看一下模电书,好好温习一下Ugs(th)的定义。对于N-MOSFET来说,Ugs(th)是指刚刚形成导电沟道所需要的Ugs电压,注意这里的定语——刚刚形成导电沟道。随着Ugs加强,导电沟道还会逐步变宽,到一定程度,这个沟道的大小就不再随着电压变宽了(类似于水龙头,Ugs(th)就相当于刚刚有水,但增加到一定程度,水流的粗细就不再变了),一般来说,MOS管要比较好的导通需要10V左右的电压。
3、MOS管的开关状态是指在可变电阻区和夹断区之间切换(最佳),但也可以是恒流区和夹断区之间切换(不过不推荐,此时MOS管相当于工作在放大状态,外部电压大量加在DS上,导致UDS会很大,再加上电流,会引起MOS管明显发热)。
2、MOS管的导通是一个过程,你需要仔仔细细看一下模电书,好好温习一下Ugs(th)的定义。对于N-MOSFET来说,Ugs(th)是指刚刚形成导电沟道所需要的Ugs电压,注意这里的定语——刚刚形成导电沟道。随着Ugs加强,导电沟道还会逐步变宽,到一定程度,这个沟道的大小就不再随着电压变宽了(类似于水龙头,Ugs(th)就相当于刚刚有水,但增加到一定程度,水流的粗细就不再变了),一般来说,MOS管要比较好的导通需要10V左右的电压。
3、MOS管的开关状态是指在可变电阻区和夹断区之间切换(最佳),但也可以是恒流区和夹断区之间切换(不过不推荐,此时MOS管相当于工作在放大状态,外部电压大量加在DS上,导致UDS会很大,再加上电流,会引起MOS管明显发热)。
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首先 我们看你给的mos管 vds和 id的关系图 。饱和区电流基本不随ugs变化而变化的,也就是图中那个叠在一起的部分。(而恒流区是ugs不变,id不随uds的变化而变化的。区别一下)要想让mos管工作在饱和状态,那么你先要给定一个 vds ,这个肯定是已知的 就是你的供电电压 vcc 我猜你这个应该是vds 是10到12v 我们看图上 当vds=10v的时候 只有当 ugs 约大于9v之后,交点才在mos管的可变电阻区(饱和区) 所以说 要9v以上 才能让管子完全导通。4v是开启电压 望采纳啊
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1,MOS管开关与否与VDS没有关系,开状态并不对应MOS管的饱和区。
2,你的理解正确,VGS只要大于阈值电压就算导通。
2,你的理解正确,VGS只要大于阈值电压就算导通。
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开关状态下,MOS管是工作在截止区和可变电阻区的
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