二极管降压原理和电路图
二极管是一个PN结，电流可以从P流向N ，反之不导通，P和N之间的电压是0.7V左右，这就是二极管的压降，在电路里串连一个二极管就降低0.7V的电压，前提是电流方向是从P到N。
扩展资料：
二极管降压特性：
正向性
外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。
在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值  ，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。 
叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。
反向性
外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。
一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。
击穿
外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。
电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。
二极管是一种具有单向导电的二端器件，有电子二极管和晶体二极管之分，电子二极管因为灯丝的热损耗，效率比晶体二极管低，所以现已很少见到，比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性，几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管。
参考资料：百度百科-二极管
二极管正极接3V-6V，负极接地，经过二极管后面的电压就变成了0.7V，二极管会很热，发烫。
这样的5个二极管串联，稳压就是5乘以0.7V等于3.5V，
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串电阻二极管降压，最大的缺陷就是压差不能太大，用电器电流波动不能太大。比如你这个5V降1.5V，七成压降都在二极管上，当表需要大电流发声时，供电电流不足，导致表的电压下降，表上分的电压大部分，给驱动喇叭的三极管了。剩下的电压，表无法正常工作。
