MOS管用数字万用表怎么测其好坏及引脚？
用数字万用表测量MOS管好坏及引脚的方法：以N沟道MOS场效应管为例。
一、先确定MOS管的引脚：
1、先对MOS管放电，将三个脚短路即可；
1、首先找出场效应管的D极（漏极）。对于TO-252、TO-220这类封装的带有散热片的场效应管，它们的散热片在内部是与管子的D极相连的，故我们可用数字万用表的二极管档测量管子的各个引脚，哪个引脚与散热片相连，哪个引脚就是D极。
2、找到D极后，将万用表调至二极管档；
3、用黑表笔接触管子的D极，用红表笔分别接触管子的另外两个引脚。若接触到某个引脚时，万用表显示的读数为一个硅二极管的正向压降，那么该引脚即为S极（源极），剩下的那个引脚即为G极（栅极）。
二、MOS管好坏的测量：
1、当把红表笔放在S极上，黑表笔放在D极上，可以测出来这个导通压降，一般在0.5 V左右为正常；
2、G脚测量，需要先对G极充下电，把红表笔放在G极，黑表笔放在S极；
3、再次把红表笔放在S极上，黑表笔放在D极上，可以测出来这个放大压降，一般在0.3 V左右为正常；
扩展资料
MOS管的主要参数
1、开启电压VT
开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；
标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
2、 直流输入电阻RGS
即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
这一特性有时以流过栅极的栅流表示
MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
3.、漏源击穿电压BVDS
在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS
ID剧增的原因有下列两个方面：
（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿；
（2）漏源极间的穿通击穿；
有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID。
4、栅源击穿电压BVGS
在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。
5、低频跨导gm
在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导；
gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一个重要参数
一般在十分之几至几mA/V的范围内
6、导通电阻RON
导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数
在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间
由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似
·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内
7、极间电容
三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS
CGS和CGD约为1～3pF，CDS约在0.1～1pF之间
8、低频噪声系数NF
噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的。·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化
噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）。这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小
低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数
场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小
放电方法，短路 DGS三个引脚。
MOS管导通前后有什么区别？怎么用万用表检测MOS管的好坏？和三极管方法一样吗？
JFET的测量，根据其D-S极在常态下呈导通状态的特点，用数字表二极管档测到某管的两个脚正、反向二极值相同，即怀疑是JFET，所接的两脚是D、S极；然后红笔接G极，黑笔分别接D、S极，若导通即判断为N沟道JFET；黑笔接G极，红笔分别接D、S极，若导通即为P沟道JFET。
对于MOSFET，常用的是N或P沟道增强型， 耗尽型MOS管很少用？？
NMOS常用作开关电源功率开关管，线性调压管，等；PMOS可用于电子开关，例如控制散热风扇。（NMOS似乎比PMOS更常用，因为NMOS管的导通耗散功率较小？？）
TO-220封装的NMOS或PMOS的中间脚是D极，左边是G极,右边是S极。MOS管通常在D-S极之间内置一个保护二极管。如果测到S-D的二极值为500左右，即为NMOS。
判断MOS管的好坏，根据只要给G极内部的电容充电，D-S极之间即双向导通的特点来判断。首先将MOS管的三个脚短接进行放电，用数字表二极管档，红笔接S极，黑笔接D极，显示数值为500左右，判断这个管为NMOS。然后，黑笔不动，红笔移至G极，给G极内部的电容充正向电压，然后红笔转回来接S极，此时D-S极应双向导通（随着G极内部电容的放电，D-S极间的阻值会逐渐变大）。然后又短接管子的三个脚，调换表笔，红笔接D极，黑笔接S极，显示数值为无穷大；然后红笔接G极，黑笔接S极，给G极内部的电容充正向电压，然后可测得D-S之间双向导通。
补充：一般NMOS的开启电压在2-4V之间，但是注意这个电压仅仅是导电沟道开始形成时的电压，如果要形成比较完整的沟道（即完全导通），电压往往要上升到10V左右才好。所以测量MOS管的好坏，数字万用表的二极管档供电压应为3V，或用机械万用表的R*10K档。
