MOS管用数字万用表怎么测其好坏及引脚?
用数字万用表测量MOS管好坏及引脚的方法:以N沟道MOS场效应管为例。
一、先确定MOS管的引脚:
1、先对MOS管放电,将三个脚短路即可;
1、首先找出场效应管的D极(漏极)。对于TO-252、TO-220这类封装的带有散热片的场效应管,它们的散热片在内部是与管子的D极相连的,故我们可用数字万用表的二极管档测量管子的各个引脚,哪个引脚与散热片相连,哪个引脚就是D极。
2、找到D极后,将万用表调至二极管档;
3、用黑表笔接触管子的D极,用红表笔分别接触管子的另外两个引脚。若接触到某个引脚时,万用表显示的读数为一个硅二极管的正向压降,那么该引脚即为S极(源极),剩下的那个引脚即为G极(栅极)。
二、MOS管好坏的测量:
1、当把红表笔放在S极上,黑表笔放在D极上,可以测出来这个导通压降,一般在0.5 V左右为正常;
2、G脚测量,需要先对G极充下电,把红表笔放在G极,黑表笔放在S极;
3、再次把红表笔放在S极上,黑表笔放在D极上,可以测出来这个放大压降,一般在0.3 V左右为正常;
扩展资料
MOS管的主要参数
1、开启电压VT
开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;
标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V。
2、 直流输入电阻RGS
即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
这一特性有时以流过栅极的栅流表示
MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
3.、漏源击穿电压BVDS
在VGS=0(增强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS
ID剧增的原因有下列两个方面:
(1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿;
(2)漏源极间的穿通击穿;
有些MOS管中,其沟道长度较短,不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区,使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通,穿通后,源区中的多数载流子,将直接受耗尽层电场的吸引,到达漏区,产生大的ID。
4、栅源击穿电压BVGS
在增加栅源电压过程中,使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS,称为栅源击穿电压BVGS。
5、低频跨导gm
在VDS为某一固定数值的条件下 ,漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导;
gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力,是表征MOS管放大能力的一个重要参数
一般在十分之几至几mA/V的范围内
6、导通电阻RON
导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ,是漏极特性某一点切线的斜率的倒数
在饱和区,ID几乎不随VDS改变,RON的数值很大,一般在几十千欧到几百千欧之间
由于在数字电路中 ,MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下,所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似
·对一般的MOS管而言,RON的数值在几百欧以内
7、极间电容
三个电极之间都存在着极间电容:栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS
CGS和CGD约为1~3pF,CDS约在0.1~1pF之间
8、低频噪声系数NF
噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的。·由于它的存在,就使一个放大器即便在没有信号输人时,在输出端也出现不规则的电压或电流变化
噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示,它的单位为分贝(dB)。这个数值越小,代表管子所产生的噪声越小
低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数
场效应管的噪声系数约为几个分贝,它比双极性三极管的要小
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推荐于2017-09-11
放电方法,短路 DGS三个引脚。
MOS管导通前后有什么区别?怎么用万用表检测MOS管的好坏?和三极管方法一样吗?
JFET的测量,根据其D-S极在常态下呈导通状态的特点,用数字表二极管档测到某管的两个脚正、反向二极值相同,即怀疑是JFET,所接的两脚是D、S极;然后红笔接G极,黑笔分别接D、S极,若导通即判断为N沟道JFET;黑笔接G极,红笔分别接D、S极,若导通即为P沟道JFET。
对于MOSFET,常用的是N或P沟道增强型, 耗尽型MOS管很少用??
NMOS常用作开关电源功率开关管,线性调压管,等;PMOS可用于电子开关,例如控制散热风扇。(NMOS似乎比PMOS更常用,因为NMOS管的导通耗散功率较小??)
TO-220封装的NMOS或PMOS的中间脚是D极,左边是G极,右边是S极。MOS管通常在D-S极之间内置一个保护二极管。如果测到S-D的二极值为500左右,即为NMOS。
判断MOS管的好坏,根据只要给G极内部的电容充电,D-S极之间即双向导通的特点来判断。首先将MOS管的三个脚短接进行放电,用数字表二极管档,红笔接S极,黑笔接D极,显示数值为500左右,判断这个管为NMOS。然后,黑笔不动,红笔移至G极,给G极内部的电容充正向电压,然后红笔转回来接S极,此时D-S极应双向导通(随着G极内部电容的放电,D-S极间的阻值会逐渐变大)。然后又短接管子的三个脚,调换表笔,红笔接D极,黑笔接S极,显示数值为无穷大;然后红笔接G极,黑笔接S极,给G极内部的电容充正向电压,然后可测得D-S之间双向导通。
补充:一般NMOS的开启电压在2-4V之间,但是注意这个电压仅仅是导电沟道开始形成时的电压,如果要形成比较完整的沟道(即完全导通),电压往往要上升到10V左右才好。所以测量MOS管的好坏,数字万用表的二极管档供电压应为3V,或用机械万用表的R*10K档。