场效应管的工作原理
2022-09-28 · 百度认证:北京惠企网络技术有限公司官方账号
关注
展开全部
场效应管FET是由传统块体半导体制造技术制造,使用单晶半导体硅片作为反应区,或者沟道。大部分的不常见体材料,主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶体管中,或者有机场效应晶体管中的非晶半导体。有机场效应晶体管基于有机半导体,常常用有机栅绝缘体和电极。
栅极可以被认为是控制一个物理栅的开关。这个栅极可以通过制造或者消除源极和漏极之间的沟道,从而允许或者阻碍电子流过。如果受一个外加的电压影响,电子流将从源极流向漏极。体很简单的就是指栅极、漏极、源极所在的半导体的块体。
通常体端和一个电路中最高或最低的电压相连,根据类型不同而不同。体端和源极有时连在一起,因为有时源也连在电路中最高或最低的电压上。当然有时一些电路中FET并没有这样的结构,比如级联传输电路和串叠式电路。
扩展资料
栅极电压对电流的影响
计算机仿真展现的纳米线MOSFET中反型沟道的形成(电子密度的变化)。阈值电压在0.45V左右。FET通过影响导电沟道的尺寸和形状,控制从源到漏的电子流(或者空穴流)。
沟道是由(是否)加在栅极和源极的电压而创造和影响的(为了讨论的简便,这默认体和源极是相连的)。导电沟道是从源极到漏极的电子流。
参考资料来源:百度百科—场效应管
已赞过
已踩过<
评论
收起
你对这个回答的评价是?
希卓
2024-10-17 广告
2024-10-17 广告
分布式应变监测技术是现代结构健康监测的重要组成部分。它通过在结构内部或表面布置多个应变传感器,实现对结构变形和应变的连续、实时监测。这种技术能够准确捕捉结构在各种载荷和环境条件下的应变响应,为结构的安全评估、损伤预警和寿命预测提供重要数据支...
点击进入详情页
本回答由希卓提供
推荐律师服务:
若未解决您的问题,请您详细描述您的问题,通过百度律临进行免费专业咨询