Question

SSD的FLASH与U盘的FLASH的寿命有何区别

请知道的高手赐教。在下不胜感激

Answer 1

　　它们之间的区别如下：
　　一、U盘和固态硬盘的差距之一：存储速度
　　其实从理论上来说，U盘当成固态硬盘来用并不是不可以，譬如现在有些版本的Linux系统支持将系统安装到U盘上，从而在U盘上运行，这样等于是将U盘变相的当成了固态硬盘。但是U盘一旦像固态硬盘那样当成系统盘来用的话，有着最大的一个问题，那就是读取写入速度过慢!这主要是因为U盘和固态硬盘之间所使用的主控芯片、Flash颗粒的数量和缓存容量不同所造成的。尤其是固态硬盘采用了多颗Flash颗粒组成，而其内部也是采用了类似于RAID的写入方式，可同时在不同的颗粒上写入或者读取数据，因此性能极其慓悍。而U盘通常就是单通道的写入，所以在性能上完全没有办法和固态硬盘相提并论。此外在缓存上，固态硬盘一般会有32M甚至更多的容量用来存放数据，而绝大多数U盘均不具有缓存区，因此在性能上也造成了相当大的差异。
　　二、U盘和固态硬盘的差距之二：使用寿命
　　除了速度上的巨大区别外，U盘的主控也大多不具备平均写入数据功能。什么是平均写入数据呢?简单的来说，U盘和固态硬盘所使用的Flash都有一定的写入次数寿命。一旦当写入次数达到这个数量之后，那么就无法再写入数据了，也就意味着U盘或者固态硬盘的损坏。
　　（1）如果作为系统盘的话，每天的数据写入次数一定会是很多的，因此固态硬盘据的主控芯片均具备了一种平均写入数据的算法，以延长使用寿命。简单的来说，如果一个固态硬盘里有10个数据块(注：只是为了举例方便，其实远远不止10个数据块)，当我们反复的写入数据时，在保证10个数据块都有同样的写入次数的前提下，那么即使每个数据块的写入次数只有10次，那么理论上只有在10的10次方的次数后，才会有不能写入的坏块出现。
　　（2）运气如果不好的，那么10次之后，就会有第一个坏块出现了。而U盘就是不具备平均写入数据功能，所以一旦U盘用来反复读写数据话，是非常容易造成损坏的。
　　（3）其实从目前的U盘技术来看，主要问题还是出在主控芯片上。相信绝大多数用户都有U盘插到电脑上而出现需要格式化的经历。这往往就是主控芯片无法保护好数据的表现之一，一旦用它来存储系统而出现这样问题，一定是会让人崩溃的。
　　（4）从以上的分析来看，不管是在使用寿命上，还是在存储速度上，U盘与固态硬盘还是存在一定的差距的，U盘始终还只是U盘，将U盘作为固态硬盘来使用的道路还是需要改进的。
　　

Answer 2

以下为借鉴：http://blog.sina.com.cn/s/blog_4ad042e50100ph06.html

目前，固态硬盘（SSD）产品主要采用MLC和SLC两种NAND闪存作为存储载体，这两种闪存形式各有各的优缺点。作为目前在固态硬盘中应用最为广泛的MLC NAND闪存，其最大的特点就是以更高的存储密度换取更低的存储成本，从而可以获得进入更多终端领域的契机。

不过，MLC的缺点也很明显，其写入寿命较短，读写方面的能力也较SLC为低，使有意进购进SSD的消费者在选择上大为犹豫。而SLC由于结构简单，在写入数据时电压变化的区间小，所以寿命较长，传统的SLC Flash可以经受10万次的读写、是MLC的10倍！

不过，由于成本问题，采用SLC NAND Flash作为载体的固态硬盘仍属少数。SLC全称单层式储存 (Single Level Cell），，因为只需要一组高低电压就可以区分出0或者1信号，所以SLC最大的驱动电压可以做到很低。因为存储结构非常简单，一组电压即可驱动，所以其速度表现更好，目前很多高端固态硬盘都是都采用SLC类型的Flash芯片。

NAND flash是东芝公司开发的一种非易失闪存技术，具较高的单元密度，可以达到高存储密度，写入和擦除速度较快。NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，具有很快的写入和擦除速度，主要功能是存储资料，目前主要用在数码相机闪存卡和MP3播放机中。

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。

Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。

“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。

NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。

性能比较
flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
● NOR的读速度比NAND稍快一些。
● NAND的写入速度比NOR快很多。
● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。

接口差别
NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。
NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。

NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

容量和成本
NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。

NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。

可靠性和耐用性
采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。
可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。

寿命(耐用性)
在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。

位交换
所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。
一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。
当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC算法。
这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。

坏块处理
NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。
NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可*的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。

易于使用
可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。
由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。
在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。

软件支持
当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。
在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。
使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。
驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

与非门的FLASH是相对或非门的FLASH而言，两者除了在设计上采用了NAND和NOR实现这个主要区别外，有如下主要区别：
1。总线接口上，NOR的接口类型一般的总线接口，与SRAM器件相似。NAND则是IO接口，需要另外逻辑才能作为MEMORY(当然是厂家做好了的)
2。NOR的器件支持随机访问，而NAND的只支持顺序访问。因此NAND一般用在大规模存贮，而NOR的用于存程序代码，直接运行程序。而NAND放程序时，要先LOAD到RAM中再跑
3。NOR的每个CELL占更大的面积，NAND的小多了，因此同样容量的价格NAND的低很多。

Nand-flash内存是flash内存的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数据，必须先擦除后写入，因此擦除操作是闪存的基本操作。
而SRAM (Static RAM，静态随机存储器) - 此类静态RAM的运行速度非常快，也非常昂贵，其体积相对来说也比较大。今天我们常说的CPU内的一级、二级缓存就是使用了此SRAM。英特尔的 Pentium III Coppermine CPU中结合有256KB的全速二级缓存，这实际上就是一种SRAM。非常不幸得就是此种SRAM与其"伙伴"DRAM相比非常地昂贵，因此在CPU内只能使用少量的SRAM，以降低处理器的生产成本；不过由于SRAM的特点---高速度，因此对提高系统性能非常有帮助。处理器内的一级缓存，其运行频率与CPU的时钟同步；而二级缓存可以整合在CPU中，也可以位于如一些Slot-1 CPU的边上。

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请问MP3中MLC颗粒内存利用换位写入技术寿命可以等同与SLC颗粒内存吗？

我最近看中了一款MP3（国内比较有名气的品牌），但是我发现该MP3使用的内存是MLC颗粒的。MLC的一个重要的缺陷就是使用寿命较短。MLC允许的最大读写1万次和SLC允许的最大读写10万次，相比是10倍的差距。MP3在PC上的每一次插拔、复制或粘贴、格式化等都是在对MP3进行读写。举例来说,毎天连接电脑几次,再加上毎天的听歌和录音,看电子书的书签写入和读取,那平均每天将有最少20-30次的读写,那也就意味着在一年以后该mp3将达到寿命晩期。
后来我联系了该公司，该公司回复是：苹果很早就开始用MLC的了，现在拆机的NANO二代里面的三星闪存就是MLC的了，利用换位写入技术寿命差不多等同于SLC，MLC技术是未来闪存的主要方向，目前东芝和三星已经把闪存产能70%转向MLC，迟早有一天MP3厂家不用MLC闪存就无闪存可用。
我不知道该公司的说法是不是真的，请了解这方面知识的朋友告诉我该公司的话可信吗？
利用换位写入技术MLC寿命可否差不多等同于SLC？APPLE NANO是使用的三星MLC颗粒内存吗？

(这是我在网上查到的：
MP3常用两种闪存芯片技术，分别是单层式储存格 (Single Level Cell；SLC)，主要由三星、现代、美光以及东芝生产，多用于中高端MP3；第二种则是多层式储存格（Multi Level Cell；MLC)，目前主要有东芝、瑞萨生产，三星电子在2005第四季也推出了相关产品。MLC由于价格低廉，被多数国内中小低端MP3使用。
MP3产品质量问题主要源于闪存芯片。应用廉价存储方案：MLC芯片。有资料表明，中小品牌、低价MP3多采用MLC芯片，成千上万的应用导致该类型MP3返修率很高，有寿命短、耗电大、读写速度慢等多种毛病。相关flash厂商在推出MLC型号的flash时并不推荐在音频播放产品中使用，因为音频产品的频繁读写会很快耗尽芯片的寿命，但MLC由于价格低廉，被多数国内中小低端MP3品牌为了追求短期效益而大量使用。而多数使用该芯片的厂商，在宣传中忽略，或者并不提及可能会带来的质量问题。
MLC由于其架构的特点可以有比较好的储存密度，再加上可利用比较老旧的生产设备来提高产品的容量，而无须额外投资生产设备，MLC成本要低于SLC。但我们都知道价格低廉意味着附加支出。
MLC的一个重要的缺陷就是使用寿命较短。MLC允许的最大读写1万次和SLC允许的最大读写10万次，相比是10倍的差距。MP3在PC上的每一次插拔、复制或粘贴、格式化等都是在对MP3进行读写。举例来说,毎天连接电脑几次,再加上毎天的听歌和录音,看电子书的书签写入和读取,那平均每天将有最少20-30次的读写,那也就意味着在一年以后该mp3将达到寿命晩期。
总体比较MLC与SLC存储解决方案，更便宜、可随意使用是MLC的好处。持久耐用、持久存储能力和高品质则是SLC的优点。因此使用者若是考虑长久使用、安全储存数据以及高速的存取速度等要求，应采用SLC架构。
黑芯产品当中，很大部分也是MLC架构的芯片。

Answer 3

感觉是同一种FLASH，但是SSD的FLASH因为是一直连在系统上的，所以系统会对其经常读写。而U盘则只在使用的时候插入，所以U盘在时间上，寿命长一些。