关于51单片机复位电路中的按键复位 120
求电路高手指教,我模拟已经通电并充电完成,然而此时按下按键,电容被短路,那么电容放电电流的流向呢?是经过51欧姆电阻吗?此时出现了类似两个电源,并且电容作为类电源居然和电...
求电路高手指教,我模拟已经通电并充电完成,然而此时按下按键,电容被短路,那么电容放电电流的流向呢?
是经过51欧姆电阻吗?此时出现了类似两个电源,并且电容作为类电源居然和电阻并联,这不是不允许吗?假设没有那51欧姆的电阻可以吗?是不是就无法放电了?回路没有电阻。 展开
是经过51欧姆电阻吗?此时出现了类似两个电源,并且电容作为类电源居然和电阻并联,这不是不允许吗?假设没有那51欧姆的电阻可以吗?是不是就无法放电了?回路没有电阻。 展开
5个回答
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51单片机在 RST ( 9脚 ) 接有效的高电平复位信号(3.5V以上电压)持续 2个机器周期 以上,或者说高电平 保持 足够长 的时间 ( 约 10 ms ) 就能可靠复位。
通常单片机应用系统中的复位电路就是 RC 充放电电路,楼主所画的就是典型复位电路,也有其他复杂(例如 WDT 器件)的,在此不作讨论。其中 R、C 的取值主要依据前面所述的“10 ms” , 使 RC 的充放电时间常数 ( τ ) 在 20 ms 以上 ,因此10K/2UF、2K/10UF等是几种常见的配置参数。
楼主图上标的参数也和许多资料上的一样, τ = 82 ms ,符合上述意思。
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由图可以看出存在有两种复位方式:
上电自动复位:系统加电时,R C 充放电过程中,对单片机产生有效复位 ;
按键手动复位:单片机运行中,复位键揿下--- 松开,C 先放电--- 再充电过程中,又对单片机产生有效的复位;
复位原理叙述如下.
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1. 上电自动复位:
其实在单片机内部,RST 引脚信号经过一个施密特触发器才真正进入单片机SFR的复位端,其高电平上阈值为3.5V,下阈值为TTL高电平的下限值1.9V。施密特触发器的作用是防止误复位,提高抗扰能力。
单片机系统刚加电时,C 两端0电压,Vrst = 5 v ,C 通过 R 充电,如果 τ = 20 ms ,根据C 充放电理论, C 充电到 10 ms(远远大于2个机器周期) 时 ,C 两端电压 Vc = 3.0 v ( 5 v * e ^ 0.5 ) , 到此时 Vrst = 2 v ,仍然处于施密特触发器的高电平阈值内,因此单片机能可靠复位。C 继续充电,Vrst 就低于高电平的下阈值变为低电平直至 0v,则复位无效,单片机进入运行状态。
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2. 按键手动复位,
单片机在运行状态时,C 两端的电压为5V,Vrst = 0 v ,当按键按下时,开关导通,此时 C 、按键、51欧姆的小电阻(有时还会将此电阻省掉)形成回路,C被小电阻短路,快速放电接近 0 v,因此 Vrst 就接近 5 v ,成了有效的高电平复位信号,单片机开始复位,松开按键,C 又开始充电,其充电过程同系统加电,因此单片机又能可靠复位。
揿一次按键复位一次、揿一次按键复位一次,其实人手的机械动作并没那么“飞速”,“2个机器周期”的时间 是微秒级,揿按键再松开,按键接通的时间远大于微秒、毫秒级,至少也得10毫秒级,从这点来看单片机也能可靠复位。
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楼主问:电容作为类电源居然和电阻并联,这不是不允许吗?
电路中 R 、C 并联的例子比比皆是,在微分、积分、滤波、放大、调制解调等混合电路中到处能看到R 、C 并联,怎能不允?楼主可能理解错了。
R 是耗能元件,C 是储能元件,只储不耗就不能平衡啦。
在此应用中就是利用 R 耗能属性将 C 存储的电荷量消耗掉,以达到Vrst瞬间升高的目的。
51单片机在 RST ( 9脚 ) 接有效的高电平复位信号(3.5V以上电压)持续 2个机器周期 以上,或者说高电平 保持 足够长 的时间 ( 约 10 ms ) 就能可靠复位。
通常单片机应用系统中的复位电路就是 RC 充放电电路,楼主所画的就是典型复位电路,也有其他复杂(例如 WDT 器件)的,在此不作讨论。其中 R、C 的取值主要依据前面所述的“10 ms” , 使 RC 的充放电时间常数 ( τ ) 在 20 ms 以上 ,因此10K/2UF、2K/10UF等是几种常见的配置参数。
楼主图上标的参数也和许多资料上的一样, τ = 82 ms ,符合上述意思。
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由图可以看出存在有两种复位方式:
上电自动复位:系统加电时,R C 充放电过程中,对单片机产生有效复位 ;
按键手动复位:单片机运行中,复位键揿下--- 松开,C 先放电--- 再充电过程中,又对单片机产生有效的复位;
复位原理叙述如下.
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1. 上电自动复位:
其实在单片机内部,RST 引脚信号经过一个施密特触发器才真正进入单片机SFR的复位端,其高电平上阈值为3.5V,下阈值为TTL高电平的下限值1.9V。施密特触发器的作用是防止误复位,提高抗扰能力。
单片机系统刚加电时,C 两端0电压,Vrst = 5 v ,C 通过 R 充电,如果 τ = 20 ms ,根据C 充放电理论, C 充电到 10 ms(远远大于2个机器周期) 时 ,C 两端电压 Vc = 3.0 v ( 5 v * e ^ 0.5 ) , 到此时 Vrst = 2 v ,仍然处于施密特触发器的高电平阈值内,因此单片机能可靠复位。C 继续充电,Vrst 就低于高电平的下阈值变为低电平直至 0v,则复位无效,单片机进入运行状态。
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2. 按键手动复位,
单片机在运行状态时,C 两端的电压为5V,Vrst = 0 v ,当按键按下时,开关导通,此时 C 、按键、51欧姆的小电阻(有时还会将此电阻省掉)形成回路,C被小电阻短路,快速放电接近 0 v,因此 Vrst 就接近 5 v ,成了有效的高电平复位信号,单片机开始复位,松开按键,C 又开始充电,其充电过程同系统加电,因此单片机又能可靠复位。
揿一次按键复位一次、揿一次按键复位一次,其实人手的机械动作并没那么“飞速”,“2个机器周期”的时间 是微秒级,揿按键再松开,按键接通的时间远大于微秒、毫秒级,至少也得10毫秒级,从这点来看单片机也能可靠复位。
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楼主问:电容作为类电源居然和电阻并联,这不是不允许吗?
电路中 R 、C 并联的例子比比皆是,在微分、积分、滤波、放大、调制解调等混合电路中到处能看到R 、C 并联,怎能不允?楼主可能理解错了。
R 是耗能元件,C 是储能元件,只储不耗就不能平衡啦。
在此应用中就是利用 R 耗能属性将 C 存储的电荷量消耗掉,以达到Vrst瞬间升高的目的。
杭州丹川科技
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电源盒电阻并联没有问题,就是一个电路回路,可以将电阻看做是用电器,电容看做电源没错,只要电阻足够大,就不会有元件损毁问题,去掉电阻的话,相当于直接将电容的正负极短路,那才是真正不允许的。
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【求电路高手指教,我模拟已经通电并充电完成,然而此时按下按键,电容被短路,那么电容放电电流的流向呢?】经过51欧姆电阻回到负端。
【是经过51欧姆电阻吗?】是的。
【此时出现了类似两个电源,并且电容作为类电源居然和电阻并联,这不是不允许吗?】
那里说的?
【假设没有那51欧姆的电阻可以吗?】瞬间电流大·,对开关按键的触点不利。
【是不是就无法放电了?回路没有电阻。】回路没有电阻时,瞬间放电电流大。
【是经过51欧姆电阻吗?】是的。
【此时出现了类似两个电源,并且电容作为类电源居然和电阻并联,这不是不允许吗?】
那里说的?
【假设没有那51欧姆的电阻可以吗?】瞬间电流大·,对开关按键的触点不利。
【是不是就无法放电了?回路没有电阻。】回路没有电阻时,瞬间放电电流大。
追问
求助,若去掉按键该支路的电阻,就是让电容无电阻放电,那么此时电容和导线并联,我在这里有疑问,电容两端电压如何变化?电容两端从5V降到0V,可导线不是短路吗,导线上没有压降,此时,电容和导线不是违背了并联电压相等的规律吗?
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这个通常是没问题的,电容不是理想器件,它是有内阻的,而且电阻和电源并联也没有任何书上说不可以啊?想去掉51欧电阻建议用1uF电容和82k电阻。
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没电阻电容就悲剧了 呵呵
追问
为什么?电容不是只要正极电荷到达负极电荷中和就好了吗?
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