Question

单片机的IO口能直接驱动MOS管吗？可靠吗？

Answer 1

应该不行，既然用单片机处理，那么一般希望mos管工作在开关状态。
因为mos管是电压驱动原件，饱和导通时电压一般在10V以上，而单片机一般的供电电压是小于等于5V的。如果低压驱动mos管的话，mos管工作在截至区或放大区，可能得不到预计的结果。

Answer 2

单片机的IO口能直接驱动MOS，单片机的电源工作电压得高于等于5V，一般的MOS管G极得4V以上才能导通。我用单片机直接驱动IRF640，挺好用的。

Answer 3

不能，因为一般单片机的直接驱动能力在20mA左右，驱动能力不足，一般需要利用三极管放大电流之后进行驱动，有时还需要3级 三极管增大电流！

追问

MOS管主要是靠电压驱动啊，不要求很大的电流吧、。

追答

如果电流不够大会造成开关的开断的延时！所以驱动电流的大小在很多供应商的规格书里面有指定范围的！

Answer 4

可以，需要选择低压启动mos管，比如我用的AO3416可以在4.5v下完全导通。
VDS 20V
ID(at VGS =4.5V) 6.5A
RDS(ON)(at VGS =4.5V) <22mΩ
RDS(ON) (at VGS = 2.5V) <26mΩ
RDS(ON) (at VGS = 1.8V) <34mΩ
FET类型：N沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）：20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6.5A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：16nC@4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1160pF@10V
栅源电压 Vgss：±8V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：22毫欧@6.5A，4.5V