2114(1K×4位)。
DRAM特点如下:
存储原理:利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理,需刷新(早期:三管基本单元;之后:单管基本单元)。
刷新(再生):为及时补充漏掉的电荷以避免存储的信息丢失,必须定时给栅极电容补充电荷的操作。
刷新时间:定期进行刷新操作的时间。该时间必须小于栅极电容自然保持信息的时间(小于2ms)。
优点: 集成度远高于SRAM、功耗低,价格也低。
缺点:因需刷新而使外围电路复杂;刷新也使存取速度较SRAM慢,所以在计算机中,DRAM常用于作主存储器。
尽管如此,由于DRAM存储单元的结构简单,所用元件少,集成度高,功耗低,所以已成为大容量RAM的主流产品。
扩展资料:
DRAM利用电容存储电荷的原理保存信息,电路简单,集成度高。由于任何电容都存在漏电,因此,当电容存储有电荷时,过一段时间由于电容放电会导致电荷流失,使保存信息丢失。
解决的办法是每隔一定时间(一般为2ms)须对DRAM进行读出和再写入,使原处于逻辑电平“l”的电容上所泄放的电荷又得到补充,原处于电平“0”的电容仍保持“0”,这个过程叫DRAM的刷新。
DRAM的刷新操作不同于存储器读/写操作,主要表现在以下几点:
(1)刷新地址由刷新地址计数器产生,不是由地址总线提供。
(2)DRAM基本存储电路可按行同时刷新,所以刷新只需要行地址,不需要列地址。
(3)刷新操作时存储器芯片的数据线呈高阻状态,即片内数据线与外部数据线完全隔离。
参考资料来源:百度百科-随机存取存储器
2024-10-17 广告
通俗答案是15根地址线(2^15=32K)、8根数据线,1根片选线,1根读写线,共25根。
异议:读写线有时可以用1根,有时可以用2根(读一根、写一根)。
若RAM是动态RAM,如果采用地址复用技术,通过行通选和列通选分行列两次传送地址信号,故而地址线减半为8根,数据线不变,控制线变成1根行通选、1根列通选以及读写控制线(可用1根可用2根),片选线用行通选代替,总数是……可以自己加着看看
这道题争议极大,暂没有什么比较正规的答案
8位 需要8根数据线
芯片还需1根片选线
1根读写线
注意题目说的是最小,所以最小为
5+8+1+1=15