C8051F060单片机可以读出flash数据,但无法把数据写到片内flash 130
我使用的是C8051F060单片机,第一次使用写片内flash的功能,发现只能读出flash的数据,但无法写数据到flash中,会的请帮忙一下,读写程序如下://对fla...
我使用的是C8051F060单片机,第一次使用写片内flash的功能,发现只能读出flash的数据,但无法写数据到flash中,会的请帮忙一下,读写程序如下:
//对flash进行读操作
void Flash_READ(void) //读flash数据
{
u8 i;
u8 t=81;
u8 code *pread; /*程序存储器空间的指针(Flash),指向待读地址 */
pread=0x0000;
for(i=0;i<t;i++)
chan_shu[i]=*pread++;
}
//对flash进行写操作
void Flash_WRITE(void)
{
u8 xdata *pwrite;/*程序存储器空间的指针(Flash),指向待写地址*/
u8 *pgen; /*一般指针 */
u8 i;
u8 t=81;
EA=0; /*关中断*/
FLSCL |= 0x01; // set FLWE,允许通过用户软件写/擦除FLASH
PSCTL = 0x03; // 将PSWE和PSEE置1MOVX指令对应// 的FLASH页
pwrite = 0x0000; // 将指针指向待擦除页
*pwrite=0; // 用movx指令向待擦除扇区的任何一个地址写入一个数据
PSCTL = 0x01; // 清除PSEEPSWE仍然置1// MOVX指令将写到对应的地址
pgen=&chan_shu[0]; /*将数组值写入Flash中*/
for(i=0;i<t;i++)
{
*pwrite++=*pgen++;
}
PSCTL = 0; // 禁止FLASH写
FLSCL = 0x8f; // 禁止FLASH写
EA=1; /*开中断*/
}
说明:本人要写81个数据入flash,调试程序发现执行写操作时系统会死机,程不能继续进行,定时器0中断也没有了。
请高人看看是怎么回事?
在本人的程序中数组chan_shu[81]的内容是要写入flash的数据。本人是按照新华龙资料提供的编程步骤编写的,就是不知怎么回事?
在现在觉得有没有可能在执行擦写flash操作时把程序擦写掉了,所以系统会死掉,连中断都执行不了了。因为我用的变量较多、程序也很大所以我在Keil编译器中选择Memory Model:Large模式,这样烧写程序时数据和程序直接写到flash去了,当我操作flash写操作时就会把程序覆盖了,所以系统瘫痪?如果真是这样,那么在选用Large的情况下程序烧写的起始地址是多少呢?有志同道合的朋友能不能帮我分析一下呢? 展开
//对flash进行读操作
void Flash_READ(void) //读flash数据
{
u8 i;
u8 t=81;
u8 code *pread; /*程序存储器空间的指针(Flash),指向待读地址 */
pread=0x0000;
for(i=0;i<t;i++)
chan_shu[i]=*pread++;
}
//对flash进行写操作
void Flash_WRITE(void)
{
u8 xdata *pwrite;/*程序存储器空间的指针(Flash),指向待写地址*/
u8 *pgen; /*一般指针 */
u8 i;
u8 t=81;
EA=0; /*关中断*/
FLSCL |= 0x01; // set FLWE,允许通过用户软件写/擦除FLASH
PSCTL = 0x03; // 将PSWE和PSEE置1MOVX指令对应// 的FLASH页
pwrite = 0x0000; // 将指针指向待擦除页
*pwrite=0; // 用movx指令向待擦除扇区的任何一个地址写入一个数据
PSCTL = 0x01; // 清除PSEEPSWE仍然置1// MOVX指令将写到对应的地址
pgen=&chan_shu[0]; /*将数组值写入Flash中*/
for(i=0;i<t;i++)
{
*pwrite++=*pgen++;
}
PSCTL = 0; // 禁止FLASH写
FLSCL = 0x8f; // 禁止FLASH写
EA=1; /*开中断*/
}
说明:本人要写81个数据入flash,调试程序发现执行写操作时系统会死机,程不能继续进行,定时器0中断也没有了。
请高人看看是怎么回事?
在本人的程序中数组chan_shu[81]的内容是要写入flash的数据。本人是按照新华龙资料提供的编程步骤编写的,就是不知怎么回事?
在现在觉得有没有可能在执行擦写flash操作时把程序擦写掉了,所以系统会死掉,连中断都执行不了了。因为我用的变量较多、程序也很大所以我在Keil编译器中选择Memory Model:Large模式,这样烧写程序时数据和程序直接写到flash去了,当我操作flash写操作时就会把程序覆盖了,所以系统瘫痪?如果真是这样,那么在选用Large的情况下程序烧写的起始地址是多少呢?有志同道合的朋友能不能帮我分析一下呢? 展开
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解锁? 编程电压?
追问
按照新华龙c8051f060的芯片资料操作并没有强调编程电压啊,这是片内的flash啊!我们无法另外设定编程电压啊,还有怎么解锁啊,能给我一个例程吗?我是按照资料建议的步骤做的。
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问题解决了么 ;怎么搞 我也掉进这个坑里了
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