继电器做开关和MOSFET做开关,两者有什么区别呢?
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1、阻抗不同,为了实施开关动作,其耗电量不同。
(1)MOSFET为电压控制的(voltage-controlled)组件,也就是为了能在漏极端有电流产生,必须在闸极与源极之间,提供额定的电压值,由于MOSFET的闸极端与源极端之间会被氧化硅层(silicon oxide layer)作电气上的隔离,因此,仅有微量的漏电流会由所供应的电压源进入闸极。所以MOSFET具有极高的增益与极高的阻抗。
(2)继电器是通过线圈控制的,必须施加电流,其阻抗低,为了开关耗费的电量相对大一些。
2、关断原理不同
(1)要将MOSFET关闭(OFF)时,只要将闸极至源极电压移去,即可将MOSFET达至OFF状态。在移去闸极电压时电晶体会关闭,此时漏极与源极之间会呈现非常高的阻抗,因而除了漏电流(几微安培),可抑制其它的电流产生。
(2)继电器是通过改变继电器线圈的电流,实现触点分离,理论上可以说,断开后没有漏电流。
3、要想实现常开(常闭)开关,继电器很好实现,而MOSFET需要合理设计电路才行。
(1)MOSFET为电压控制的(voltage-controlled)组件,也就是为了能在漏极端有电流产生,必须在闸极与源极之间,提供额定的电压值,由于MOSFET的闸极端与源极端之间会被氧化硅层(silicon oxide layer)作电气上的隔离,因此,仅有微量的漏电流会由所供应的电压源进入闸极。所以MOSFET具有极高的增益与极高的阻抗。
(2)继电器是通过线圈控制的,必须施加电流,其阻抗低,为了开关耗费的电量相对大一些。
2、关断原理不同
(1)要将MOSFET关闭(OFF)时,只要将闸极至源极电压移去,即可将MOSFET达至OFF状态。在移去闸极电压时电晶体会关闭,此时漏极与源极之间会呈现非常高的阻抗,因而除了漏电流(几微安培),可抑制其它的电流产生。
(2)继电器是通过改变继电器线圈的电流,实现触点分离,理论上可以说,断开后没有漏电流。
3、要想实现常开(常闭)开关,继电器很好实现,而MOSFET需要合理设计电路才行。
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