Question

HSPICE求大神!!!!!!!!!!

选用0.35um CMOS工艺level 49模型(tsmc35N.m和tsmc35P.m) 根据模型参数、设计要求设定管子尺寸（NMOS: W=2u1. 分析缓冲驱动器的直流传输特性，调整管子的尺寸使vout=vin=2.5v 2. 进行瞬态分析，测量trise(上升时间)，tfall(下降时间)。 3. 调整管子的尺寸使上升时间=下降时间 4. 利用含参数的子电路组成反相器链，对反相器链进行时序特性分析：测量反相器链的tdelay(延迟) .SUBCKT INV IN OUT wn=1u wp=1u Mn out in 0 0 NMOS W=wn L=1u Mp out in vdd vdd PMOS W=wp L=1u .ENDS X1 IN 1 INV WN=1U WP=3U X2 1 out INV WN=1U WP=3U
5. 试对第一级反相器，调整其宽度或长度以得到反相器链的最小延迟时间。 6. 考查反相器链的驱动能力（利用.DATA语句） …… .param cload=1pf …… .data cv cload 0.5p 1p 2p .enddata …… CL OUT 0 cload

Answer 1

反相器的仿真貌似不需要大神级别的就能解决吧....
先把schematic画出啦,然后用ADE提取hspice网表文件.然后再编驱动文件(.sp文件)最后仿真就OK了. 刚开始不急不急慢慢来~