
求解硅的空穴电导的有效质量
硅的空穴电导的有效质量是:由于在四价的硅或锗晶体中掺进了三价的铟或镓原子,这些原子和硅或锗的原子的化合键中就缺少了一个电子,在外电场中P型半导体中的电子会逆电场方向依次填补空穴,同时空穴也就沿电场方向移动。
空穴就可以被认为是带正电的粒子,以它的运动取代电子的运行来解释P型半导体中电流的形成。共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量,从而摆脱共价键的约束成为自由电子,同时在共价键上留下空位,晶体中原子外层一个萝卜一个坑,跑掉了一个自由电子自然就会留下一个坑。
这些空穴也不是恒定不变的,它可以被其他的价电子填补,也就是还处在价带中的那些电子可以在各个坑之间跳槽。所以说价带中的电子也是可以导电的,但是和自由电子有很多不同,因为并不是自由流动的,只能在各坑之间转移。
扩展资料:
导电机理
空穴和电子导电的情况都是掺入杂质原子来做到的,其中掺入3价原子会导致3价原子与4价原子形成3个共价键,硅原子(4价)要形成4个共价键才能达到稳定,因此会在周围环境夺取电子,从而形成正电荷净余,而空穴处由于有净余的正电荷。
因此会吸引周围其他的电子过来,这样电子在半导体中运动就容易多了,我们可以发现,空穴导电看似是净余正电荷吸引其他电子而将正电荷转移,其实事实上仍是电子导电,移动的空穴只是正电荷等效,由于3价原子掺杂不如5价原子带来的电子多。
参考资料来源:百度百科-空穴导电