
TTL、CMOS的高低电平的典型值是多少?两种类型电路的特点和区别。
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1、TTL电平: 输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是0.4V。
CMOS电平: 逻辑高电平电压接近于电源电压,逻辑低电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。
2、TTL和COMS特点和区别在于:
1)TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。
2)TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象。
3)COMS电路的锁定效应:
COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易烧毁芯片。
CMOS电平: 逻辑高电平电压接近于电源电压,逻辑低电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。
2、TTL和COMS特点和区别在于:
1)TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。
2)TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象。
3)COMS电路的锁定效应:
COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易烧毁芯片。
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TTL电源电压只能是5V,电平大致如下:
输出高电平电压≥2.7V,典型3.6V,输出低电平电压≤0.5V;
输入高电平电压要求>2V,输入低电平电压要求<0.8V。
CMOS电源电压适应性强,一般在3~15V之间,电平大致如下:
输出高电平电压=Vdd,输出低电平电压=0V。
输入高电平电压要求>0.7Vdd,输入低电平电压要求<0.3Vdd。
以5V电源为例,VOH=5V,VOL=0V,VIH>3.5V,VIL<1.5V。
可以看出CMOS器件的电压传输特性优于TTL,并且COMS器件功耗很低,但是传输速度也低于TTL器件。
随着CMOS制造工艺的进步,性能日趋完善,已经占领绝大多数的市场份额,只是由于著名的74系列TTL器件影响很大,学校教学还是以此为范本,就像单片机的51系列一样。总之,让TTL牺牲吧,拥抱COMS!
输出高电平电压≥2.7V,典型3.6V,输出低电平电压≤0.5V;
输入高电平电压要求>2V,输入低电平电压要求<0.8V。
CMOS电源电压适应性强,一般在3~15V之间,电平大致如下:
输出高电平电压=Vdd,输出低电平电压=0V。
输入高电平电压要求>0.7Vdd,输入低电平电压要求<0.3Vdd。
以5V电源为例,VOH=5V,VOL=0V,VIH>3.5V,VIL<1.5V。
可以看出CMOS器件的电压传输特性优于TTL,并且COMS器件功耗很低,但是传输速度也低于TTL器件。
随着CMOS制造工艺的进步,性能日趋完善,已经占领绝大多数的市场份额,只是由于著名的74系列TTL器件影响很大,学校教学还是以此为范本,就像单片机的51系列一样。总之,让TTL牺牲吧,拥抱COMS!
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