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温度升高,Ic增大,发射极电阻Re两端的电压约为Ue=Ic*Re也跟着增大
即发射极对地电位上升
又因为基极的对地电位VB不变(由电源电压和两个分压电阻的阻值决定)
故发射结电压UBE=VB-VE减小
所以IB减小
则IC=βIB减小,从而保持IC基本不变。
即发射极对地电位上升
又因为基极的对地电位VB不变(由电源电压和两个分压电阻的阻值决定)
故发射结电压UBE=VB-VE减小
所以IB减小
则IC=βIB减小,从而保持IC基本不变。
追问
UBE减小为什么IB减小啊?
Vb不是等于×Vcc啊
IE=(Vb-Vbe)/Re
Ib=Ie/β
Vbe减小Ie不是增大吗?然后Ib也增大啊?
追答
1你要搞清楚谁决定谁的问题(因果关系)
2UBE减小导致IB减小是根据三极管的输入特性得到的
3Vb等于×Vcc没错
4IE=(Vb-Vbe)/Re
Ib=Ie/β
这是逆向思维的求法
实际上是IB决定IE,而不是IE决定IB。

2023-06-12 广告
不一定。看管子的,看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质,UGS一定是负值且,UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作,后两种可以说UDS一定大于UGS,但第一种情况下未必......
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本回答由GamryRaman提供
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