薄膜绝缘栅型场效应晶体管和TFT是不是一种东西?哪位大哥给我讲明白就追加100分说到做到 100
薄膜绝缘栅型场效应晶体管和TFT是不是一种东西?薄膜绝缘栅型场效应晶体管的工作原理是什么?它和普通的场效应晶体管有什么区别?或者说TFT算不算一种绝缘栅型场效应晶体管??...
薄膜绝缘栅型场效应晶体管和TFT是不是一种东西?
薄膜绝缘栅型场效应晶体管的工作原理是什么?
它和普通的场效应晶体管有什么区别?
或者说 TFT算不算一种绝缘栅型场效应晶体管?? 展开
薄膜绝缘栅型场效应晶体管的工作原理是什么?
它和普通的场效应晶体管有什么区别?
或者说 TFT算不算一种绝缘栅型场效应晶体管?? 展开
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TFT全称薄膜场效应晶体管,属于MOSFET,所以薄膜绝缘栅型场效应晶体管就是TFT。
具体的工作原理看看MOSFET就可以了,这个网站上一搜就能有很多。
大致过程简单点说,就是在栅极(gate)施加正偏压,p型半导体内的电子就会被向上吸引,这样在绝缘层(oxide layer)和半导体(p-stype silicon)接触面附近会产生薄薄的一层负电荷(就是图中的红色虚线和棕色氧化层之间的区域,这个区域叫做沟道),这样在源S、漏D电极之间施加电压的时候,就会有电流从中流过。总的来说,就是在垂直方向是栅控器件(类似于电容),在水平方向是电导器件。
普通的场效应晶体管总称FET,现在MOSFET从名字你也可以知道是FET的一种了吧。大概就是这样。
创远信科
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TFT:Thin Film Transistor (薄膜场效应晶体管)
薄膜绝缘栅型场效应管IGFET
Insulated Gate Field Effect Transister
也称金属氧化物半导体三极管(Metal Oxide Semiconductor FET,简写为MOSFET).
它分为增强型(Enhancement-mode)和耗尽型(depletion-mode)两大类.增强型和耗尽型又分为N沟道和P沟道两种。
主要参数有:1)直流参数:开启电压,饱和漏极电流,输入电阻;2)交流参数:低频跨导;3)安全参数:反向击穿电压,最大漏极功耗
绝缘栅型场效应管输入特性曲线没有实际意义,一般考虑的是转移特性曲线和输出特性曲线.
薄膜绝缘栅型场效应管IGFET
Insulated Gate Field Effect Transister
也称金属氧化物半导体三极管(Metal Oxide Semiconductor FET,简写为MOSFET).
它分为增强型(Enhancement-mode)和耗尽型(depletion-mode)两大类.增强型和耗尽型又分为N沟道和P沟道两种。
主要参数有:1)直流参数:开启电压,饱和漏极电流,输入电阻;2)交流参数:低频跨导;3)安全参数:反向击穿电压,最大漏极功耗
绝缘栅型场效应管输入特性曲线没有实际意义,一般考虑的是转移特性曲线和输出特性曲线.
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