Question

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Since performances of thin film electronic devices depend
substantially on crystalline quality of the thin films
employed, numerous efforts have been done to improve
the quality on each device by means of several kinds of
growth techniques. The substrate temperature and substrate
material are often important factors to improve the
crystalline quality of the concerned component films. In an
ideal case, any deposition technique for device-grade films
should be independent of the material property of the
substrate concerned. In case of multilayer-structured
devices nowadays often employed, various deposition
processes are usually utilized for such device fabrications.
Especially, high-temperature processes, which are applicable
for most of high-quality material depositions in case
of no interference with the other materials employed,
frequently induce such deteriorations of the layered
structures as interfacial reaction, inter-diffusion, and
defect formation in the case of multi-layer depositions.
In such cases, the devices fabricated fail of realizing
designed performances. Thus, it is required to establish
such novel deposition techniques as can be carried out at
as low temperatures as possible for as many substrates
as possible.
One of candidate techniques for this purpose is a
material deposition method using low-energy particles,
by which one may expect low-temperature growths of
highly oriented thin films without substantial substratedependence since incident particles with low energies below
E10 eV can locally heat the growth front to stabilize the
structure [1]. On the other hand, it is suggested from the
following consideration that the areal size of flat substrates
should be one of the important parameters governing the
single-crystallization process for thin film growths. When
the substrate size is sufficiently small, all the atoms initially
deposited on the substrate can align periodically over the
whole substrate area through slight rearrangements of their
positions to effectively decrease the number of various
crystalline defects, namely to reduce the free energy of the
system concerned. Since the electronic energy per constituent
atom is slightly larger due to incomplete bonding
states at the grain boundary than in the grain, a sufficient
relaxation of the system should lead to the decrease in the
number of grain boundary atoms so as to reduce the free
energy as effectively as possible. In other words, for flat
substrates with sufficiently small sizes, atoms deposited on
the substrates should arrange as single-crystalline phases
having no grain boundary in the overlayers other than their
peripheries. The energy of incident low-energy particles is
supplied locally to the top region of the grown overlayers
to stimulate sufficient rearrangements of the deposited
atoms.
不要什么google华建 呀湖之类在线翻译的

Answer 1

因为薄膜电子设备表现极大地
取决于被使用的薄膜的水晶质量
，许多努力在每个设备
完成通过几成长技术改进
质量。 基体温度和基体
材料经常是改进的重要因素
关心的组分影片的水晶质量。 在
理想的案件，设备品级影片的所有证言技术
应该是基体的物质物产的独立
有关的。 在经常
现今被使用的多层被构造的设备的情况下，各种各样的证言
过程为这样设备制造通常被运用。
特别是，高温过程，为大多
是可适用的优质物质证言，万一
没有干涉与被使用的其他材料，
频繁地导致层型结构的这样恶化
象界面的反应、相互扩散和
瑕疵形成在多层证言情况下。
在这些情况下，体会被设计的表现设备被制造的
无法。 因此，要求它建立
这样新颖的证言技术象能被执行在
作为低温一样可能为许多个基体
尽可能。
其中一个候选人技术为此是一个
物质证言方法使用低能源微粒，
你也许期望低温成长
没有坚固substratedependence的高度针对的薄膜，因为事件微粒以低能量在
E10 eV之下可能当地加热成长前面稳定
结构[1]。 另一方面，它从以下
考虑被建议平的基体的地区大小
应该是一个重要参量治理
唯一结晶过程为薄膜成长。 当
基体大小是充足地小的时，在基体最初
放置的所有原子可能周期性地排列在
整体基体区域通过有效地减少各种各样的
水晶瑕疵的数量的他们的位置的轻微的重新整理
，即减少有关的系统的
热力势。 从电子能每个组成部分
原子比在五谷，系统的
充足的放松应该导致在晶界原子的
数量的减退以便减少自由轻微地更大
归结于残缺不全的接合状态在晶界
能量一样有效地尽可能。 换句话说，为平的
基体以充足地小大小，在基体
放置的原子应该安排作为唯一水晶阶段
有晶界在overlayers除他们的
周围之外。 事件低能源微粒能量
当地被提供给增长的overlayers的顶面区域
刺激被放置的原子的足够的重新整理
。

Answer 2

随着电子薄膜设备中晶体组的优劣成为设备性能的决定性因素，人们开始通过各种手段及先进的技术来提高晶体组的质量。其中决定复合膜晶体组质量的重要因素莫过于晶体的基片温度及材质。在理想的情况下，那些用于普通设备的薄膜，其恒温方面的问题都是可以通过一般的沉积技术得以解决的。而对于那些复层结构的设备，现如今往往是通过分层沉淀的工序来解决。尤其是在高温下，在不添加其他材料的情况下，适用于大部分高品质材质的沉积技术，往往会导致复层结构设备的故障，例如接口腐蚀，交互扩散及薄膜缺陷。在这种情况下，设备是无法发挥其预期的性能的。这样，就需要找到一种新的沉淀技术，从而能够尽可能降低温度，适用于任何基片。
为了达到这个目的，一种可选的方案是采用低能源微粒。它可以减缓升温速度，同时采用耐高温的膜材，这就取代了独立的基板，使得低能粒子能够沉积到其上面。
E10 eV 能够局部加热延展面从而保证结构稳定。此外，选择E10 eV的另一方面考虑是基板的尺寸是衡量薄膜延展的单晶化过程的重要属性值之一。当基板尺寸足够小时，所有之前沉积到上面的原子都可以通过细微的位置重组，从而在基板表面进行周期性的排列。这样可以有效地减少各种结晶缺陷，即减少系统需承受的自由能消耗。由于晶界处的不完全结晶，使得晶界处原子的电能略大于内部，此时系统可以进行足够的缓冲，从而减少晶界处原子的数量，进而尽可能有效地减少自由能的消耗。换句话说，对于尺寸足够小的基板而言，原子会以单晶状态沉积到上面，这时在上层是没有晶界的，而在外层则有晶界。这些微小的低能微粒的能量会局部传送到延展层的最表层区域，从而激发上面沉积的原子的再次重组。

Answer 3

由于表演的薄膜电子器件取决于
大幅晶体的高质量的薄膜
雇用，多次努力都做了改进
质量，对每一个设备的方式几种
生长技术。衬底温度和衬底
材料往往是重要的因素，以改善
晶体质量有关组成的电影。在一个
理想的情况下，任何沉积技术用于设备级电影
应独立于物质财产的安全
衬底关注。在案件的多层结构
设备如今常常受雇，各种沉积
过程通常用于此类装置编造出来的。
尤其是，高温过程，这是适用
对于大多数的高品质材料堆积现象，在病例
无干扰，与其他材料，雇用的，
经常诱发这种恶化的层状
结构界面反应，扩散，并
缺陷的形成，在案件多层次的证言。
在这种情况下，器件未能实现
设计表演。因此，它需要建立
这种崭新的沉积技术，可以进行时
由于气温低，尽量多基板
至于可能的。
其中一个候选技术，为这一目的，是
材料沉积方法使用低能量粒子，
由哪一个可以预期的低温生长
高取向薄膜没有大量substratedependence自事件粒子与低能量低于
E10为电动汽车可以在本地热生长战线稳定
结构[ 1 ] 。在另一方面，有人建议从
以下是考虑到地域的大小单位基板
应该是其中一项重要参数管
单结晶过程的薄膜生长。当
基板的尺寸是够小，所有原子最初
沉积在衬底上可以匹配，定期一年
整个基板面积略有通过重排其
立场，以有效地减少人数的不同
结晶缺陷，即以减少自由能的
系统的关注。由于电子式电能百分之制宪
原子稍大，由于不完全统计粘接
国在晶界比在粮食，足够
放宽制度应带头减少，在
若干晶界原子等，以减少免费
能源尽可能有效。或者换句话说，换楼
衬底够小尺寸，原子沉积在
该基板应尽量安排为单一晶相
无晶界在overlayers以外的其他
边缘。能源的事件低能粒子
本地供应到顶部区域的成长overlayers
为了刺激足够的重排的交存